Product Design, Manufacturing & Innovation Resources

Neueste Veröffentlichungen und Patente zu Mikro-LED-Displays

Mikro-LED-Anzeigen

Tipp: Zusätzlich zu der unten stehenden Auswahl können Sie unsere 2 gesamten Datenbanken durchsuchen und filtern:

> Kostenloses Tool zur Suche nach Veröffentlichungen < nach Autor, Thema, Stichwörtern, Datum oder Zeitschrift.

> Kostenloses Tool zur Suche nach Patenten < für Patente in englischer Sprache vom Europäischen Patentamt.

Micro-LED displays are emissive flat-panel Technologien built from inorganic gallium nitride LED Chips mit individuellen Pixelabmessungen von typischerweise weniger als 100 Mikrometern, die eine Leuchtdichte, ein Kontrastverhältnis und eine Lebensdauer bieten, die weder OLED- noch LCD-Architekturen bei gleicher Pixeldichte erreichen können. Das grundlegende Herstellungsproblem - die Übertragung von Milliarden defektfreier mikroskaliger Chips von Epitaxie-Wafern auf Aktivmatrix-Backplanes in produktionstauglicher Geschwindigkeit und Ausbeute - bleibt der zentrale Engpass, der Labordemonstrationen von Panels für den Massenmarkt trennt. Patent Aktivitäten in den Bereichen Massentransfermethoden, Laser-Lift-off, Selbstmontage und auf Redundanz basierende Reparaturstrategien.

Mikro-LED-Displays
Micro-led technology faces Herstellung challenges in scaling defect-free production for mass-market displays.

Auf der Materialseite ist der Wirkungsgradabfall bei kleinen Chipabmessungen, die Farbkonvertierung über quantum dot Filter und die monolithische Integration von roten, grünen und blauen Emittern auf einem einzigen GaN-Substrat sind aktive Forschungsbereiche.

Nachgelagerte Anwendungen umfassen wellenleitergekoppelte AR/VR-Mikrodisplays, helle Auto-HUDs, großformatige Direktsicht-Videowände und tragbar Geräte, bei denen aufgrund des Energiebudgets und des Formfaktors der Wirkungsgrad nicht verhandelbar ist.

Die unten aufgeführten Veröffentlichungen und Patente decken diesen gesamten Prozess ab – vom epitaxialen Wachstum und der Chip-Vereinzelung über die Backplane-Integration, die Ansteuerschaltungen, das Farbmanagement bis hin zur System-Level-Displayarchitektur.

Dies ist unsere neueste Auswahl weltweiter Veröffentlichungen und Patente in englischer Sprache zum Thema Mikro-LED-Displays aus vielen wissenschaftlichen Online-Zeitschriften, klassifiziert und fokussiert auf Mikro-LED, μLED, LED-Epitaxie, Massentransfer-Mikro-LED, Pick-and-Place-Mikro-LED, Mikro-LED-Backplane, TFT-Backplane-Mikro-LED, Mikro-LED-Wafer-Bonden, LED-Chipvereinzelung, Mikro-LED-Pixelabstand, monolithische Mikro-LED, Mikro-LED-Array, GaN-Mikro-LED und Mikro-LED.

Veröffentlichung: keine aktuellen Nachrichten zu diesem speziellen Thema. Bitte versuchen Sie es mit der umfangreichen manuellen Suche in der oben verlinkten Publikationsdatenbank.

Micro-led with improved light extraction efficiency

Patent published on the 2026-06-11 in US under Ref US20260164855 by META PLATFORMS TECH LLC [US] (Mezouari Samir [gb], Breakspear Robert Leslie [gb])

Abstract: [0000] A micro-LED includes a mesa structure and a tapered dielectric waveguide. The mesa structure includes a quantum well region disposed between an n-doped semiconductor layer and a p-doped semiconductor region. The n-doped semiconductor layer forms a tapered semiconductor pre-waveguide. The tapered dielectric waveguide has a lower refractive index than a higher refractive index of the tapered semiconductor pre-waveguide.[...]


Our summary: The micro-LED features a mesa structure with a quantum well region. It includes a tapered semiconductor pre-waveguide and a tapered dielectric waveguide. The dielectric waveguide has a lower refractive index compared to the semiconductor pre-waveguide.

micro-LED, light extraction, mesa structure, dielectric waveguide

Patent

Mechanisms for fabricating micro-leds

Patent published on the 2026-06-04 in US under Ref US20260156990 by SAPHLUX LLC [US] (Chen Chen [us], Song Jie [us])

Abstract: [0000] In some embodiments, methods for fabricating micro-LEDs may include bonding a semiconductor wafer to a Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) wafer via one or more adhesive layers, etching the LED epilayer and the one or more adhesive layers to form a plurality of micro-LED structures, and fabricating an electrode layer on the plurality of microLED structures. The semiconductor wafer may include an LED epilayer that may include an n-GaN layer, a p-GaN layer, and an active layer po[...]


Our summary: Methods for fabricating micro-LEDs involve bonding a semiconductor wafer to a CMOS wafer with adhesive layers. The process includes etching to form micro-LED structures and fabricating an electrode layer. A stress release pattern with geometrical shapes aids in managing mechanical stresses during fabrication.

micro-LEDs, semiconductor wafer, CMOS, fabrication

Patent

Partially stacking polychrome micro-led pixel

Patent published on the 2026-05-21 in WO under Ref WO2026102949 by JADE BIRD DISPLAY SHANGHAI LTD [CN] (Xu Qunchao [cn], Wei-sin Tan [cn])

Abstract: A polychrome Micro-LED pixel is provided. The pixel comprises: a first metal pillar formed on a substrate; a first LED structure that emits a first color, wherein the first LED structure is positioned on the first metal pillar; a second LED structure that emits a second color; a third LED structure that emits a third color, wherein the third LED structure is formed on the substrate, and the second LED structure is positioned above the third LED structure; a first conductive structure and a secon[...]


Our summary: The content describes a polychrome Micro-LED pixel with multiple color-emitting LED structures. It features a first metal pillar on a substrate supporting the first LED structure. Additionally, it includes conductive structures surrounding the LED components for electrical connectivity.

Micro-LED, Polychrome, Pixel Structure, Conductive Design

Patent

Polychrome micro-led pixel with non-coaxial stacking led structure

Patent published on the 2026-05-21 in WO under Ref WO2026103078 by JADE BIRD DISPLAY SHANGHAI LTD [CN] (Xu Qunchao [cn], Tan Wei-sin [cn])

Abstract: A polychrome Micro-LED pixel, comprising: a first LED structure that emits a first color, wherein the first LED structure is formed on a substrate; a first metal pillar formed on the substrate; a second LED structure that emits a second color, wherein the second LED structure is positioned on the first metal pillar; a first air gap around the first LED structure; a second air gap around the second LED structure; and a conductive structure surrounding the first LED structure and the second LED st[...]


Our summary: The content describes a polychrome Micro-LED pixel with a unique stacking design. It includes multiple LED structures emitting different colors, positioned on a substrate. The design features air gaps and a conductive structure for enhanced performance.

Micro-LED, pixel structure, non-coaxial stacking, conductive structure

Patent

Low power micro-led driver for high bandwidth short distance communication

Patent published on the 2026-05-07 in US under Ref US20260128800 by HYPERLUME INC [CA] (Nabavi Morteza [ca], Fariborzi Hossein [us], Nabavi Abdolreza [ca], Asad Mohsen [ca])

Abstract: [0000] A driver circuit for supplying and regulating power to a micro light-emitting diode (micro-LED), the driver circuitry comprising: at least one inverter; a first capacitance; a resistor coupled to ground; a fast switch comprising at least one first transistor; and a slow switch comprising at least one second transistor; whereby at least one of a rising time, a peaking effect, and LED power is increased.[...]


Our summary: This document describes a driver circuit designed for micro-LEDs. It includes components such as inverters, capacitors, and transistors. The circuit aims to enhance performance parameters like rising time and LED power.

micro-LED, driver circuit, low power, high bandwidth

Patent

Behandelte Themen: Mikro-LED, emissive Displays, Galliumnitrid, Pixelabmessungen, Leuchtdichten, Kontrastverhältnisse, Betriebslebensdauer, Massentransfermethoden, Laser-Lift-off, Selbstmontage, Effizienzabfall, Quantenpunktfilter, monolithische Integration, AR/VR, HUDs für Fahrzeuge, Videowände mit Direktsicht, tragbare Geräte, Display-Architektur ISO/IEC 61966, IEC 62341, ISO 9241, ISO/IEC 29170 und IEC 62832.

Historischer Kontext

1965
1970
1970
1974-11-15
1980
1980
1980
1964
1968
1970
1970
1975
1980
1980
1980

(wenn das Datum unbekannt oder nicht relevant ist, z. B. „Strömungsmechanik“, wird eine gerundete Schätzung seines bemerkenswerten Auftretens bereitgestellt)

Bilder in voller Größe und Downloads sind nur für registrierte Mitglieder 100% kostenlos verfügbar.

> Login <