GPS-Trilaterationsprinzip

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) ist die vorherrschende Technologie für die Herstellung integrierter Schaltkreise. Dabei werden komplementäre Paare von p-Typ- und n-Typ-MOSFETs zum Aufbau logischer Gatter verwendet. Der Hauptvorteil liegt in der sehr geringen statischen Leistungsaufnahme, da ein Transistor des Paares im stationären Zustand immer ausgeschaltet ist, was außer bei Schaltübergängen zu einem minimalen Stromfluss führt.

The discovery that europium-doped yttrium vanadate ([latex]YVO_4:Eu^{3+}[/latex]) could act as a brilliant red phosphor was a critical breakthrough for color television. Before this, red phosphors were weak, resulting in dull colors. The intense, narrow-band red emission from the [latex]Eu^{3+}[/latex] ion allowed for bright, vibrant color displays, dramatically improving the quality of color TV and setting the standard for display technology.

UNISURF wurde in den 1960er Jahren vom französischen Ingenieur Pierre Bézier für Renault entwickelt und war eines der ersten echten 3D-CAD/CAM-Systeme. Seine wichtigste Innovation war die Verwendung der heute als Bézier-Kurven und -Flächen bekannten Systeme. Dabei handelt es sich um parametrische Kurven, die durch eine Reihe von Kontrollpunkten definiert werden und die intuitive und mathematische Erstellung komplexer Freiformformen für Karosserien ermöglichen.

Superconducting Magnetic Energy Storage (SMES) systems store energy in the magnetic field created by the flow of direct current in a superconducting coil. The energy can be stored indefinitely as long as the coil is kept at superconducting temperatures, as there is virtually no energy loss due to electrical resistance. The stored energy is given by [latex]E = \frac{1}{2} L I^2[/latex].

The Ganz-Griesser whiteness index is a linear formula widely used, particularly in the textile industry. It is derived from CIE tristimulus values and is defined as [latex]W_{GG} = Y - Px - Qy + C[/latex], where P, Q, and C are constants specific to the illuminant and observer. For the D65/10° condition, the formula is [latex]W_{GG} = Y - 1868.322x - 3695.690y + 1809.441[/latex].

Lithium-ion batteries function via an intercalation mechanism, a reversible insertion of ions into a layered host material. During discharge, lithium ions ([latex]Li^+[/latex]) de-intercalate from a negative electrode (anode), typically graphite, and move through a non-aqueous electrolyte to intercalate into a positive electrode (cathode), typically a metal oxide. Electrons travel through the external circuit, creating current.

Q-Switching ist eine Technik zur Erzeugung hochintensiver, kurzer Laserpulse. Dabei wird die Laserwirkung vorübergehend unterbrochen, sodass das Verstärkungsmedium durch Besetzungsinversion eine große Energiemenge speichern kann. Anschließend wird der Gütefaktor (Q-Faktor) des Lasers schlagartig auf einen hohen Wert umgeschaltet, wodurch die gespeicherte Energie in einem einzigen, hochenergetischen Nanosekundenpuls freigesetzt wird.

Die CIE-D-Normlichtarten sind eine Reihe standardisierter spektraler Leistungsverteilungen (SPDs), die verschiedene Phasen des natürlichen Tageslichts darstellen. Die gebräuchlichste Norm ist D65 mit einer Farbtemperatur von etwa 6504 K, die dem durchschnittlichen Mittagslicht entspricht. D50 (5003 K) ist eine weitere wichtige Norm, die häufig in der Grafik verwendet wird. Diese Normen ermöglichen eine konsistente Farbwiedergabe.

Mode-locking is a technique for producing extremely short laser pulses, on the order of picoseconds ([latex]10^{-12}[/latex] s) to femtoseconds ([latex]10^{-15}[/latex] s). It works by forcing the many longitudinal modes of the laser cavity to oscillate with a fixed phase relationship. This causes the modes to interfere constructively, creating a single, intense, ultrashort pulse circulating in the cavity.

Bei der Top-down-Synthese werden Nanomaterialien hergestellt, indem man von einem größeren Material ausgeht und es auf die Nanoskala zerlegt oder strukturiert. Zu den wichtigsten Techniken gehören mechanische Methoden wie Kugelmühlen und lithografische Verfahren wie Fotolithografie, Elektronenstrahllithografie und Nanoimprint-Lithografie. Diese Methoden werden häufig zur Herstellung strukturierter Oberflächen und integrierter Schaltkreise eingesetzt, können aber Oberflächenfehler aufweisen.

Flywheel energy storage (FES) works by accelerating a rotor (flywheel) to a very high speed and maintaining the energy in the system as rotational kinetic energy. The energy stored is proportional to the square of the rotational speed. When energy is extracted, the flywheel's rotation slows down. The formula for stored energy is [latex]E = \frac{1}{2} I \omega^2[/latex], where I is the moment of inertia and ω is the angular velocity.

Die Molekularelektronik erforscht die Nutzung einzelner Moleküle oder nanoskaliger Molekülansammlungen als grundlegende elektronische Komponenten. Ziel dieses Ansatzes ist der Bau von Schaltkreisen an der äußersten Grenze der Miniaturisierung, weit über die traditionelle Siliziumtechnologie hinaus. Zu den Schlüsselkomponenten gehören molekulare Drähte, Schalter und Gleichrichter, deren Funktion quantenmechanische Eigenschaften wie das Tunneln von Elektronen durch Molekülorbitale nutzt.

Die Ausfallphysik (Physics of Failure, PoF) ist ein Ansatz im Zuverlässigkeitsingenieurwesen, der Erkenntnisse aus der Materialwissenschaft und Physik nutzt, um die Ursachen von Ausfällen zu verstehen und zu modellieren. Anstatt sich ausschließlich auf statistische Daten aus vergangenen Ausfällen zu stützen, konzentriert sie sich auf die Vorhersage von Ausfällen durch die Analyse physikalischer Prozesse (z. B. Ermüdung, Korrosion, Kriechen), die zu Degradation und Ausfall führen.

The Quantum Size Effect describes the phenomenon where the electronic and optical properties of a material change as its size approaches the nanoscale. When the dimensions of a material become comparable to the electron's de Broglie wavelength, quantum confinement occurs. This quantizes the electron energy levels, leading to a size-dependent band gap, [latex]E_g(R) \approx E_{g,\b\u\lk} + \frac{\hbar^2\pi^2}{2R^2}(\frac{1}{m_e^*} + \frac{1}{m_h^*})[/latex].