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化学气相沉积(CVD)

1960
用于半导体制造的 CVD 腔室,包含衬底和化学前驱体。

(图片仅供参考)

化学气相沉积(CVD)是一种 涂层 该工艺中,基材暴露于一种或多种挥发性化学前驱体中。这些前驱体在反应室中于基材表面发生反应或分解,生成高纯度、高性能的固体薄膜或涂层。温度和 压力 是控制沉积速率和薄膜质量的关键工艺参数。

化学气相沉积(CVD)是一种用途广泛的工艺,能够生产多种材料,包括金属、陶瓷和聚合物。该工艺首先将气态前驱体分子引入装有加热基板的真空腔中。基板的高温提供打破前驱体分子中化学键所需的能量,这一过程被称为…… 热解. The resulting reactive species then adsorb onto the substrate surface, diffuse, and react to form a stable solid film. Byproducts of the reaction are then desorbed and pumped out of the chamber. There are numerous variations of CVD, each tailored for specific applications. For example, Metalorganic CVD (MOCVD) uses metalorganic precursors and is crucial for manufacturing compound semiconductor devices like LEDs. Plasma-Enhanced CVD (PECVD) uses a plasma to energize the precursor gases, allowing deposition at lower temperatures, which is essential for substrates that cannot withstand high heat. Atomic Layer Deposition (ALD), a subtype of CVD, involves sequential, self-limiting surface reactions, enabling the deposition of films with atomic-level thickness control. The quality, stoichiometry, and morphology of the deposited film are precisely controlled by adjusting parameters like substrate temperature, chamber pressure, gas flow rates, and precursor chemistry.

UNESCO Nomenclature: 3322
– Technology of materials

类型

化学过程

中断

Foundational

用法

广泛使用

前体

  • 了解气相化学动力学
  • 真空技术的发展
  • 挥发性化合物(前体)的合成
  • 高温炉技术的进步
  • 成核和薄膜生长理论

应用程序

  • 半导体器件制造(例如二氧化硅、氮化硅、多晶硅层)
  • 生产用于切削刀具的硬质涂层(例如, 钛 氮化物)
  • 光纤制造
  • 合成钻石的诞生
  • 航空航天部件的耐腐蚀和耐高温涂层

专利:

NA

潜在创新理念

  • 用于柔性电子产品和石墨烯生产的卷对卷化学气相沉积
  • 无需光刻,区域选择性化学气相沉积 (CVD) 实现自下而上的纳米制造
  • 用于在温度敏感的聚合物基底上沉积材料的低温化学气相沉积
  • 集成机器学习算法,实时优化CVD工艺参数
  • development of “green” cvd processes using non-toxic, sustainable precursors
  • 3d conformal coating of complex micro-electromechanical systems (mems)
  • 直接在集流体上原位化学气相沉积合成电池电极材料
  • 用于创建具有可调特性的纳米复合涂层的混合 cvd/pvd 系统
  • 大气压化学气相沉积 (CVD),适用于高速、大面积涂层应用
  • 激光辅助化学气相沉积 (CVD) 用于材料直接写入图案化
Related to: cvd, chemical vapor deposition, thin film, semiconductor, precursor, deposition, coating, plasma, mocvd, surface engineering.

历史背景

化学气相沉积(CVD)

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(如果日期未知或不相关,例如“流体力学”,则提供其显著出现的近似估计)

第十年 周年纪念日

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