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Das Rayleigh-Kriterium (optische Auflösung)

1900
  • John William Strutt, 3rd Baron Rayleigh
Projektions-Fotolithografiesystem zur Veranschaulichung des Rayleigh-Kriteriums in der Optik.

(Abbildung dient nur zur Veranschaulichung)

Die minimale Strukturgröße, die ein Projektions-Photolithographiesystem drucken kann, ist durch Beugung begrenzt und wird näherungsweise durch das Rayleigh-Kriterium bestimmt. Die kritische Abmessung (CD) ergibt sich aus [latex]CD = k_1 cdot frac{lambda}{NA}[/latex], wobei [latex]lambda[/latex] die Wellenlänge des Lichts, NA die numerische Apertur der Linse und [latex]k_1[/latex] ein prozessabhängiger Koeffizient ist. Kleinere Strukturen erfordern kürzere Wellenlängen oder höhere numerische Aperturen.

Das Rayleigh-Kriterium ist ein fundamentales Prinzip der Optik, das die Auflösungsgrenze für jedes abbildende System definiert, einschließlich der in der Fotolithografie verwendeten Projektionssysteme. Es besagt, dass zwei Punktquellen gerade dann auflösbar sind, wenn der Mittelpunkt des Beugungsmusters der einen direkt über dem ersten Minimum des Beugungsmusters der anderen liegt. In der Lithografie entspricht dies der kleinsten Linie oder dem kleinsten Zwischenraum, der zuverlässig gedruckt werden kann. Die Formel [latex]CD = k_1 cdot frac{lambda}{NA}[/latex] fasst die drei wichtigsten Hebel zur Verbesserung der Auflösung zusammen. Erstens war die Reduzierung der Wellenlänge ([latex]lambda[/latex]) der Lichtquelle ein wesentlicher Treiber des Fortschritts. Dieser Übergang führte von g-Linien- (436 nm) und i-Linien-Quecksilberdampflampen (365 nm) zu Deep-UV-Excimerlasern (DUV) wie KrF (248 nm) und ArF (193 nm) und schließlich zu Extreme-UV-Lasern (EUV) bei 13,5 nm. Zweitens ermöglicht die Erhöhung der numerischen Apertur (NA) des Projektionsobjektivs die Erfassung von mehr Beugungsordnungen des Lichts, was zu einem schärferen Bild führt. Die NA ist definiert als [latex]NA = n sin theta[/latex], wobei n der Brechungsindex des Mediums zwischen Linse und Wafer ist. Drittens repräsentiert der Prozessfaktor [latex]k_1[/latex] die Effizienz des Prozesses und umfasst Verbesserungen wie Auflösungsverbesserungstechniken (RET), Fotolackchemie und Prozesskontrolle. Während [latex]k_1[/latex] theoretisch einen Minimalwert von 0,25 aufweist, konnten die praktischen Fertigungswerte durch immense Entwicklungsarbeit von ca. 0,8 auf ca. 0,3 gesenkt werden. Diese Gleichung ist seit Jahrzehnten das Leitprinzip für die Roadmap der Halbleiterindustrie und treibt die durch das Mooresche Gesetz vorhergesagte, unaufhaltsame Skalierung voran.

UNESCO Nomenclature: 2209
- Elektromagnetismus

Typ

Abstraktes System

Störung

Grundlegendes

Verwendung

Weitverbreitete Verwendung

Vorläufer

  • Huygens-Fresnel principle of wave propagation
  • Fraunhofer diffraction theory
  • development of high-quality optical lenses

Anwendungen

  • design of high-resolution microscopes
  • semiconductor lithography process development
  • astronomical telescope design
  • data storage density limits in optical discs (cd, dvd, blu-ray)

Patente:

NA

Potenzielle Innovationsideen

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Verwandte Themen: Rayleigh-Kriterium, Auflösung, numerische Apertur, Wellenlänge, k1-Faktor, Beugungsgrenze, Fotolithografie, DUV, EUV, Optik.

Historischer Kontext

Das Rayleigh-Kriterium (optische Auflösung)

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1900-12-14
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1904
1907

(wenn das Datum unbekannt oder nicht relevant ist, z. B. „Strömungsmechanik“, wird eine gerundete Schätzung seines bemerkenswerten Auftretens bereitgestellt)

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