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Il criterio di Rayleigh (risoluzione ottica)

1900
  • John William Strutt, 3rd Baron Rayleigh
Sistema di fotolitografia a proiezione che illustra il criterio di Rayleigh in ottica.

(Immagine generata a solo scopo illustrativo)

La dimensione minima delle caratteristiche che un sistema di fotolitografia a proiezione può stampare è limitata dalla diffrazione ed è approssimata dal criterio di Rayleigh. La dimensione critica (CD) è data da [latex]CD = k_1 cdot frac{lambda}{NA}[/latex], dove [latex]lambda[/latex] è la lunghezza d'onda della luce, NA è l'apertura numerica della lente e [latex]k_1[/latex] è un coefficiente legato al processo. Caratteristiche più piccole richiedono lunghezze d'onda più corte o aperture numeriche più elevate.

Il criterio di Rayleigh è un principio fondamentale dell'ottica che definisce il limite di risoluzione per qualsiasi sistema di imaging, compresi i sistemi di proiezione utilizzati nella fotolitografia. Afferma che due sorgenti puntiformi sono appena risolvibili quando il centro del pattern di diffrazione di una si trova direttamente sopra il primo minimo del pattern di diffrazione dell'altra. Nel contesto della litografia, questo si traduce nella linea o nello spazio più piccolo che può essere stampato in modo affidabile. La formula [latex]CD = k_1 cdot frac{lambda}{NA}[/latex] racchiude i tre principali fattori che contribuiscono al miglioramento della risoluzione. In primo luogo, la riduzione della lunghezza d'onda ([latex]lambda[/latex]) della sorgente luminosa è stata un fattore determinante per il progresso, passando dalle lampade a mercurio della linea g (436 nm) e della linea i (365 nm) ai laser a eccimeri Deep UV (DUV) come KrF (248 nm) e ArF (193 nm), e infine all'UV estremo (EUV) a 13,5 nm. In secondo luogo, l'aumento dell'apertura numerica (NA) della lente di proiezione le consente di catturare più ordini di luce diffratta, portando a un'immagine più nitida. NA è definita come [latex]NA = n sin theta[/latex], dove n è l'indice di rifrazione del mezzo tra la lente e il wafer. In terzo luogo, il fattore di processo [latex]k_1[/latex] rappresenta l'"intelligenza" del processo, che comprende miglioramenti come le tecniche di miglioramento della risoluzione (RET), la chimica del fotoresist e il controllo del processo. Mentre teoricamente [latex]k_1[/latex] ha un minimo di 0,25, i valori pratici di produzione sono stati ridotti da ~0,8 a ~0,3 attraverso un immenso sforzo ingegneristico. Questa equazione è stata il principio guida per la roadmap dell'industria dei semiconduttori per decenni, guidando l'inesorabile miniaturizzazione prevista dalla legge di Moore.

UNESCO Nomenclature: 2209
- Elettromagnetismo

Tipo

Sistema astratto

Interruzione

Fondamento

Utilizzo

Uso diffuso

Precursori

  • Huygens-Fresnel principle of wave propagation
  • Fraunhofer diffraction theory
  • development of high-quality optical lenses

Applicazioni

  • design of high-resolution microscopes
  • semiconductor lithography process development
  • astronomical telescope design
  • data storage density limits in optical discs (cd, dvd, blu-ray)

Brevetti:

NA

Idee e potenziali innovazioni

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Argomenti correlati: criterio di Rayleigh, risoluzione, apertura numerica, lunghezza d'onda, fattore k1, limite di diffrazione, fotolitografia, DUV, EUV, ottica.

Contesto storico

Il criterio di Rayleigh (risoluzione ottica)

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1900-12-14
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1904
1907

(se la data è sconosciuta o non rilevante, ad esempio "meccanica dei fluidi", viene fornita una stima approssimativa della sua notevole comparsa)

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