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Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)

1960
CVD-Kammer für die Herstellung von Halbleitern mit Substrat und chemischen Grundstoffen.

(generate image for illustration only)

Chemical Vapor Deposition (CVD) is a Beschichtung process where a substrate is exposed to one or more volatile chemical precursors. These precursors react or decompose on the substrate’s surface in a reaction chamber, producing a high-purity, high-performance solid thin film or coating. Temperature and Druck are critical process parameters that control the deposition rate and film quality.

CVD ist ein äußerst vielseitiges Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Materialien, darunter Metalle, Keramik und Polymere. Der Prozess beginnt mit der Einleitung gasförmiger Vorläufermoleküle in eine Vakuumkammer, die das erhitzte Substrat enthält. Die hohe Temperatur des Substrats liefert die nötige Energie zum Aufbrechen der chemischen Bindungen in den Vorläufermolekülen (Pyrolyse). Die entstehenden reaktiven Spezies adsorbieren anschließend auf der Substratoberfläche, diffundieren und reagieren zu einem stabilen, festen Film. Nebenprodukte der Reaktion werden anschließend desorbiert und aus der Kammer abgepumpt. Es gibt zahlreiche CVD-Varianten, die jeweils auf spezifische Anwendungen zugeschnitten sind. Beispielsweise verwendet die metallorganische CVD (MOCVD) metallorganische Vorläufer und ist entscheidend für die Herstellung von Verbindungshalbleiterbauelementen wie LEDs. Die plasmaunterstützte CVD (PECVD) nutzt ein Plasma zur Aktivierung der Vorläufergase. Dies ermöglicht die Abscheidung bei niedrigeren Temperaturen, was für Substrate, die hohen Temperaturen nicht standhalten, unerlässlich ist. Die Atomlagenabscheidung (ALD), eine Unterart der CVD, umfasst sequentielle, selbstlimitierende Oberflächenreaktionen und ermöglicht die Abscheidung von Filmen mit atomar kontrollierter Schichtdicke. Die Qualität, Stöchiometrie und Morphologie des abgeschiedenen Films werden durch die Anpassung von Parametern wie Substrattemperatur, Kammerdruck, Gasdurchflussraten und Vorläuferchemie präzise gesteuert.

UNESCO Nomenclature: 3322
- Technologie der Materialien

Typ

Chemischer Prozess

Unterbrechung

Grundlegendes

Verwendung

Weit verbreitete Verwendung

Vorläufersubstanzen

  • Verständnis der chemischen Kinetik in der Gasphase
  • Entwicklung der Vakuumtechnologie
  • Synthese flüchtiger chemischer Verbindungen (Vorläufer)
  • Fortschritte in der Hochtemperaturofentechnologie
  • Theorien der Keimbildung und des Filmwachstums

Anwendungen

  • Herstellung von Halbleiterbauelementen (z. B. Siliziumdioxid-, Siliziumnitrid- und Polysiliziumschichten)
  • production of hard coatings for cutting tools (e.g., Titan nitride)
  • Herstellung von optischen Fasern
  • Herstellung synthetischer Diamanten
  • korrosions- und hochtemperaturbeständige Beschichtungen für Luft- und Raumfahrtkomponenten

Patente:

NA

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Historischer Kontext

Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)

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1962
1965-12-21

(wenn das Datum nicht bekannt oder nicht relevant ist, z. B. "Strömungsmechanik", wird eine gerundete Schätzung des bemerkenswerten Erscheinens angegeben)

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