Dernières publications et brevets sur les semi-conducteurs

Semi-conducteurs

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Il s'agit de notre dernière sélection de publications et de brevets mondiaux en anglais sur les semi-conducteurs, parmi de nombreuses revues scientifiques en ligne, classées et axées sur les semi-conducteurs, les diodes, les MOFSET, les jonctions PN, le type N, le type P, les BJT et les JFET.

Publication: pas de nouvelles récentes sur ce sujet particulier. Veuillez essayer la recherche manuelle approfondie dans la base de données des publications dont le lien figure juste au-dessus.

Quantum microwave-to-optical transducer and associated methods

Patent published on the 2025-06-19 in WO under Ref WO2025128892 by GOVERNMENT OF THE US SECRETARY OF COMMERCE [US] (Silverman Kevin Lawrence [us], Decrescent Ryan Anthony [us], Mirin Richard Paul [us], Autry Travis [us], Wang Zixuan [us], Imany Poolad [us])

Abstract: A quantum transducer includes a back gate having a doped semiconductor layer, a tunnel barrier located above the doped semiconductor layer, a quantum dot contacting a top surface of the tunnel barrier, a cap layer located above the tunnel barrier and covering the quantum dot, a surface acoustic wave (SAW) resonator located above the cap layer, a SAW transducer coupled to the SAW resonator, and a top gate located above the SAW resonator. The SAW resonator is mechanically coupled to the quantum do[...]


Our summary: Quantum transducer with back gate, doped semiconductor layer, tunnel barrier, quantum dot, cap layer, SAW resonator, SAW transducer, top gate. Depth and conductivity of doped layer selected to minimize SAW attenuation and achieve high piezoelectric coupling constant.

quantum transducer, microwave-to-optical, surface acoustic wave resonator, piezoelectric coupling constant

Patent

Photovoltaic cells with bypass diodes

Patent published on the 2025-06-17 in US under Ref US12336305 by TANDEM PV [US] (Bailie Colin David [us], Eberspacher Chris [us])

Abstract: Embodiments of the disclosure include a photovoltaic device comprising a plurality of photovoltaic cells coupled in series. The photovoltaic cells comprising a first contact layer, a first charge transport layer (CTL) disposed over the first contact layer, an absorber layer disposed over the first CTL, a second CTL disposed over the absorber layer; and a second contact layer disposed over the second CTL. Each photovoltaic cell in the plurality of photovoltaic cells includes a diode region, the d[...]


Our summary: Photovoltaic device with bypass diodes, series-coupled photovoltaic cells, diode region with feature extending through layers.

Photovoltaic cells, bypass diodes, photovoltaic device, charge transport layer

Patent

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    Sujets abordés : semi-conducteurs, diode, MOFSET, jonction PN, type N, type P, BJT, JFET, jonction Schottky, croissance ALD, batteries lithium-ion, semi-conducteurs de type p à haute mobilité, diode Josephson, disulfure de molybdène, nanomatériaux, propriétés électrochimiques, méthode hydrothermale, photodétection, ISO 9001, IEC 60747, IEEE 8023, IEC 61215, et ISO 14001.

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