Ultime pubblicazioni e brevetti sui semiconduttori

Semiconduttori

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Questa è la nostra ultima selezione di pubblicazioni e brevetti in inglese sui semiconduttori, tra numerose riviste scientifiche online, classificate e focalizzate su semiconduttori, diodi, MOFSET, giunzioni PN, N-type, P-type, BJT e JFET.

Pubblicazione: Non ci sono notizie recenti su questo particolare argomento. Provate a effettuare una ricerca manuale approfondita nel Database delle pubblicazioni, linkato poco sopra.

Quantum microwave-to-optical transducer and associated methods

Patent published on the 2025-06-19 in WO under Ref WO2025128892 by GOVERNMENT OF THE US SECRETARY OF COMMERCE [US] (Silverman Kevin Lawrence [us], Decrescent Ryan Anthony [us], Mirin Richard Paul [us], Autry Travis [us], Wang Zixuan [us], Imany Poolad [us])

Abstract: A quantum transducer includes a back gate having a doped semiconductor layer, a tunnel barrier located above the doped semiconductor layer, a quantum dot contacting a top surface of the tunnel barrier, a cap layer located above the tunnel barrier and covering the quantum dot, a surface acoustic wave (SAW) resonator located above the cap layer, a SAW transducer coupled to the SAW resonator, and a top gate located above the SAW resonator. The SAW resonator is mechanically coupled to the quantum do[...]


Our summary: Quantum transducer with back gate, doped semiconductor layer, tunnel barrier, quantum dot, cap layer, SAW resonator, SAW transducer, top gate. Depth and conductivity of doped layer selected to minimize SAW attenuation and achieve high piezoelectric coupling constant.

quantum transducer, microwave-to-optical, surface acoustic wave resonator, piezoelectric coupling constant

Patent

Photovoltaic cells with bypass diodes

Patent published on the 2025-06-17 in US under Ref US12336305 by TANDEM PV [US] (Bailie Colin David [us], Eberspacher Chris [us])

Abstract: Embodiments of the disclosure include a photovoltaic device comprising a plurality of photovoltaic cells coupled in series. The photovoltaic cells comprising a first contact layer, a first charge transport layer (CTL) disposed over the first contact layer, an absorber layer disposed over the first CTL, a second CTL disposed over the absorber layer; and a second contact layer disposed over the second CTL. Each photovoltaic cell in the plurality of photovoltaic cells includes a diode region, the d[...]


Our summary: Photovoltaic device with bypass diodes, series-coupled photovoltaic cells, diode region with feature extending through layers.

Photovoltaic cells, bypass diodes, photovoltaic device, charge transport layer

Patent

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    Argomenti trattati: semiconductors, diode, MOFSET, PN junction, N-type, P-type, BJT, JFET, Schottky junction, ALD growth, lithium-ion batteries, high-mobility p-type semiconductors, Josephson diode, molybdenum disulfide, nanomaterials, electrochemical properties, hydrothermal method, photodetection, ISO 9001, IEC 60747, IEEE 8023, IEC 61215, and ISO 14001..

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