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Das Rayleigh-Kriterium (optische Auflösung)

1900
  • John William Strutt, 3rd Baron Rayleigh
Projektions-Fotolithografiesystem zur Veranschaulichung des Rayleigh-Kriteriums in der Optik.

(Abbildung dient nur zur Veranschaulichung)

Die minimale Strukturgröße, die ein Projektions-Photolithographiesystem drucken kann, ist durch Beugung begrenzt und wird näherungsweise durch das Rayleigh-Kriterium bestimmt. Die kritische Abmessung (CD) ergibt sich aus [latex]CD = k_1 cdot frac{lambda}{NA}[/latex], wobei [latex]lambda[/latex] die Wellenlänge des Lichts, NA die numerische Apertur der Linse und [latex]k_1[/latex] ein prozessabhängiger Koeffizient ist. Kleinere Strukturen erfordern kürzere Wellenlängen oder höhere numerische Aperturen.

The Rayleigh criterion is a fundamental principle in optics that defines the limit of resolution for any imaging system, including the projection systems used in photolithography. It states that two point sources are just resolvable when the center of the diffraction pattern of one is directly over the first minimum of the diffraction pattern of the other. In the context of lithography, this translates to the smallest line or space that can be reliably printed. The formula [latex]CD = k_1 \cdot \frac{\lambda}{NA}[/latex] encapsulates the three primary levers for improving resolution. Firstly, reducing the wavelength ([latex]\lambda[/latex]) of the light source has been a major driver of progress, moving from g-line (436 nm) and i-line (365 nm) mercury lamps to Deep UV (DUV) excimer lasers like KrF (248 nm) and ArF (193 nm), and ultimately to Extreme UV (EUV) at 13.5 nm. Secondly, increasing the numerical aperture (NA) of the projection lens allows it to capture more diffracted light orders, leading to a sharper image. NA is defined as [latex]NA = n \sin \theta[/latex], where n is the refractive index of the medium between the lens and the wafer. Thirdly, the process factor [latex]k_1[/latex] represents the ‘cleverness’ of the process, encompassing improvements like resolution enhancement techniques (RET), photoresist chemistry, and process control. While theoretically [latex]k_1[/latex] has a minimum of 0.25, practical manufacturing values have been pushed down from ~0.8 towards ~0.3 through immense engineering effort. This equation has been the guiding principle for the semiconductor industry’s roadmap for decades, driving the relentless scaling predicted by Moore’s Law.

UNESCO Nomenclature: 2209
- Elektromagnetismus

Typ

Abstraktes System

Störung

Grundlegendes

Verwendung

Weitverbreitete Verwendung

Vorläufer

  • Huygens-Fresnel principle of wave propagation
  • Fraunhofer diffraction theory
  • development of high-quality optical lenses

Anwendungen

  • design of high-resolution microscopes
  • semiconductor lithography process development
  • astronomical telescope design
  • data storage density limits in optical discs (cd, dvd, blu-ray)

Patente:

NA

Potenzielle Innovationsideen

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Verwandte Themen: Rayleigh-Kriterium, Auflösung, numerische Apertur, Wellenlänge, k1-Faktor, Beugungsgrenze, Fotolithografie, DUV, EUV, Optik.

Historischer Kontext

Das Rayleigh-Kriterium (optische Auflösung)

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1900-12-14
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1904
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(wenn das Datum unbekannt oder nicht relevant ist, z. B. „Strömungsmechanik“, wird eine gerundete Schätzung seines bemerkenswerten Auftretens bereitgestellt)

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