Product Design, Manufacturing & Innovation Resources

أحدث المنشورات: براءات اختراع حول الباعث المُخَمَّل والخلايا الخلفية (PERC)

Passivated Emitter and Rear Cell

Tip: further to the selection below, you can search and filter our 2 entire databases:

> free publications search tool < حسب المؤلف، أو الموضوع، أو الكلمات المفتاحية، أو التاريخ، أو المجلة.

> free patents search tool < للحصول على براءات اختراع باللغة الإنجليزية من مكتب براءات الاختراع الأوروبي.

Perc technology
Perc technology enhances solar cell efficiency through dielectric passivation and optimized rear surface design.

تُوسّع تقنية الخلايا الشمسية ذات الباعث المُخَمَّل والخلايا الخلفية (PERC) نطاق عمل الخلايا الشمسية التقليدية ذات المجال الخلفي المصنوع من الألومنيوم، وذلك بإضافة طبقة تخميل عازلة - عادةً ما تكون من أكسيد الألومنيوم (Al2O3) مغطاة بطبقة من نيتريد السيليكون (SiNx) - على سطح السيليكون الخلفي، مما يُقلل من إعادة التركيب ويُحسّن الانعكاس الداخلي الخلفي. وتتحقق مكاسب الأداء من خلال تقليل سرعة إعادة التركيب السطحي، وتحسين عمر حاملات الشحنة الثانوية، وتحسين نقاط التلامس الخلفية المحلية التي يتم فتحها عبر الاستئصال بالليزر.

يتناول تكامل العمليات توحيد الترسيب في تقنيتي الترسيب الكيميائي للبخار المعزز بالبلازما (PECVD) أو الترسيب الذري الطبقي (ALD)، والطلاء المعدني المطبوع بالشاشة، وملامح التسخين، وديناميكيات التخميل بالهيدروجين. ولا يزال التدهور الناتج عن الضوء بسبب عيوب البورون والأكسجين، وكيفية التخفيف منه من خلال التلدين التجديدي، محورًا بحثيًا نشطًا.

تجمع هذه الصفحة أحدث المنشورات التي خضعت لمراجعة الأقران وبراءات الاختراع الممنوحة التي تغطي فيزياء خلايا PERC وعمليات التصنيع والمتغيرات ثنائية الوجه والتكامل على مستوى الوحدة:

هذه أحدث مجموعة مختارة لدينا من المنشورات وبراءات الاختراع العالمية باللغة الإنجليزية حول الخلايا ذات الباعث المخمل والخلايا الخلفية (PERC)، من بين العديد من المجلات العلمية على الإنترنت، مصنفة ومركزة على تخميل السطح الخلفي، وتخميل أكسيد الألومنيوم، وتخميل نتريد السيليكون، والاتصال الخلفي الموضعي، وفتح اتصال الليزر، وطبقة التخميل العازلة، وسرعة إعادة التركيب السطحي، وعمر حاملات الشحنة الأقلية، والانعكاس الخلفي، والكفاءة الكمية الداخلية، وPERC ثنائي الوجه، وPERC+، والباعث الخلفي، ومجال السطح الأمامي، والباعث الانتقائي، وتخميل الهيدروجين، وعملية التلبيد، وترسيب Al2O3، وترسيب PECVD، وترسيب ALD، والاستئصال بالليزر الخلفي، ومقاومة التلامس، وتحسين عامل الملء، والتدهور الناتج عن الضوء، وعيب البورون والأكسجين، والتلدين التجديدي، وعملية التجميع، وتخميل عيوب الكتلة، وتعزيز جهد الدائرة المفتوحة، والتعدين المطبوع بالشاشة، والخلايا ذات الباعث المخمل والخلايا الخلفية.

Rechargeable battery and battery pack including the same

Patent published on the 2026-10-07 in EP under Ref EP4819300 by SAMSUNG SDI CO LTD [KR] (Seong Yeon Kyeong [kr], Kim Hyun [kr])

Abstract: A battery and a battery pack including the same are disclosed. A battery of a battery pack having a cooling member includes an electrode assembly and a case in which the electrode assembly is accommodated, and a thermal contact resistance between the case and the electrode assembly in a first portion of the battery adjacent to the cooling member is greater than a thermal contact resistance between the case and the electrode assembly in a second portion of the battery that is farther from the coo[...]


Our summary: The content describes a rechargeable battery and battery pack with a cooling member. It highlights the thermal contact resistance differences between two portions of the battery. The design aims to improve thermal management in the battery system.

Rechargeable battery, battery pack, cooling member, thermal contact resistance

Patent

Ultrahigh bandgap algan channel hemts with low contact resistance

Patent published on the 2026-10-01 in US under Ref US20260303761 by WISCONSIN ALUMNI RES FOUND [US] (Pasayat Shubhra S [us], Mukhopadhyay Swarnav [us], Gupta Chirag [us], Gohel Khush [us])

Abstract: Aluminum gallium nitride (AlGaN) channel high electron mobility transistors (HEMTs), methods of operating the AlGaN HEMTs, and methods of making the AlGaN HEMTs are provided. The AlGaN HEMTs include source and drain contacts on a highly n-type doped, reverse graded AlGaN contact layer. At least a portion of the HEMT heterostructure is partially or fully strained relaxed to provide low contact resistance at the interface between the contact layer and the source and/or drain contact.[...]


Our summary: The content discusses ultrahigh bandgap AlGaN channel HEMTs with low contact resistance. It details methods for operating and fabricating these transistors. The HEMTs feature a reverse graded AlGaN contact layer with n-type doping and a strained relaxed heterostructure.

AlGaN, HEMTs, contact resistance, heterostructure

Patent

Tungsten-modified nickel-alumina composite catalyst prepared through one-pot firing process

Patent published on the 2026-10-01 in WO under Ref WO2026205711 by UNIV ULSAN FOUND IND COOP [KR] (Shin Eun Woo [kr], Jamsaz Azam [kr])

Abstract: The present invention relates to a catalyst manufacturing method in which a tungsten-modified nickel-alumina composite catalyst prepared through a one-pot firing process is charged into a reactor and subjected to an in-situ reduction treatment. According to the present invention, the addition of tungsten suppresses coke formation, and thus catalytic activity is excellent and persists without degrading even after a long reaction time.[...]


Our summary: The invention describes a method for manufacturing a tungsten-modified nickel-alumina composite catalyst using a one-pot firing process. This catalyst undergoes in-situ reduction treatment in a reactor. The addition of tungsten enhances catalytic activity and prevents coke formation, ensuring durability over extended reaction times.

Tungsten, nickel-alumina, composite catalyst, one-pot firing

Patent

Display device

Patent published on the 2026-09-24 in US under Ref US20260293397 by LG DISPLAY CO LTD [KR] (Na Hyunseok [kr], Kim Woosung [kr], Cho Seongsoo [kr], Shin Sanghak [kr])

Abstract: A display device includes a substrate having transistors and lower connection electrodes, insulating and protective layers disposed on the substrate, and an element disposed above an adhesive layer. An upper connection electrode has a concave end portion that laterally contacts side surfaces of an element contact electrode while also electrically connecting to a lower connection electrode through the adhesive layer. A further upper electrode connects another element contact electrode to an upper[...]


Our summary: A display device consists of a substrate with transistors and connection electrodes. It features a structure that maintains electrical coupling despite alignment variations. This design enhances contact area, reduces resistance, and simplifies assembly while lowering power consumption.

display device, transistors, electrical stability, power consumption

Patent

Ultrathin aluminum-rich capping layers for improving internal quantum efficiency in ultraviolet leds

Patent published on the 2026-09-03 in WO under Ref WO2026183559 by THE REGENTS OF THE UNIV OF CALIFORIA [US] (Wang Michael [us], Gong Wenting [us], Nakamura Shuji [us], Speck James S [us])

Abstract: With the use of ultrathin aluminum-rich capping layers, the efficiency of ultraviolet (UV) or far-UV light-emitting diodes (LEDs), laser diode (LDs), or other light-emitting devices is improved through the reduction of carrier loss due to electron overshoot and improved radiative efficiency through improved quantum confinement.[...]


Our summary: Ultrathin aluminum-rich capping layers enhance the internal quantum efficiency of ultraviolet LEDs. They reduce carrier loss caused by electron overshoot. Improved quantum confinement leads to better radiative efficiency in light-emitting devices.

Ultrathin layers, aluminum-rich, quantum efficiency, ultraviolet LEDs

Patent

Method for manufacturing electronic device board connector

Patent published on the 2026-08-13 in WO under Ref WO2026168639 by GTG SOLUTION CO LTD [KR] (Lim Jong-gae [kr])

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device board connector. The objective of the present invention is to quickly and accurately manufacture a board connector, which has a connection pin, a spring part and a solder terminal integrally formed to have a constant contact resistance while not causing a connection resistance and not being affected by usage time. The present invention relates to the method for manufacturing an electronic device board connector, com[...]


Our summary: The invention describes a method for manufacturing an electronic device board connector. It includes a spring bending process, a connection pin compression binding process, and a spring-part matching and bending process. The goal is to create a connector with low contact resistance and high durability.

connector manufacturing, electronic device, spring bending process, connection pin

Patent

Material-specific lighting requirements and contemporary illumination strategies for galleries

Published on 2026-07-08 by @OXFORD

Abstract: AbstractMuseum lighting simultaneously governs visual presentation and light-induced degradation of artworks. With the widespread adoption of light emitting diode technologies, traditional illuminance- and dose-based standards are increasingly insufficient to address the heterogeneous photochemical responses of different materials. This review synthesizes recent research on material-specific lighting requirements and contemporary illumination strategies for galleries, focusing on spectral power [...]


Our summary: This review addresses material-specific lighting needs and modern strategies for gallery illumination. It highlights the varying sensitivity of artworks to different light wavelengths and the impact on visual presentation and degradation. Optimized lighting approaches can significantly enhance energy efficiency while preserving artwork integrity.

museum lighting, photochemical responses, illumination strategies, energy optimization

Publication

External control of photocleavage reactivity in polymer networks to reconcile photodegradability and photostability

Published on 2026-04-13 by Hiroshi Masai @NATURE

Abstract: Polymer Journal, Published online: 13 April 2026; doi:10.1038/s41428-026-01165-6This review summarizes our recent strategies for controlling the photostability and photoreactivity of polymer materials. Beyond conventional photoreactive polymers, we have developed polymer systems that exhibit cooperative reactions triggered by combined light and acid stimuli, as well as tunable photoreactivity based on reversible intramolecular isomerization. These systems show significant promise for a wide rang[...]


Our summary: This review discusses strategies for controlling the photostability and photoreactivity of polymer materials. It highlights the development of polymer systems that respond to combined light and acid stimuli. The findings suggest potential applications in light-induced degradation and processing in light-irradiated environments.

photocleavage, photostability, polymer networks, photoreactivity

Publication

المواضيع المغطاة: باعث وخلايا خلفية مُخَمَّلة، تقنية PERC، تخميل عازل، مجال سطح خلفي من الألومنيوم، Al2O3، SiNx، سرعة إعادة التركيب السطحي، عمر حاملات الشحنة الأقلية، موصلات خلفية، استئصال بالليزر، PECVD، ترسيب ALD، طلاء معدني مطبوع بالشاشة، ملامح الحرق، تخميل الهيدروجين، التدهور الناتج عن الضوء، عيوب البورون والأكسجين، تلدين التجديد ISO 9001، IEC 61215، IEC 61730، IEC 62804، و ASTM E2848.

مسرد المصطلحات المستخدمة

Chemical Vapor Deposition (CVD): عملية تُستخدم لإنتاج أغشية رقيقة أو طلاءات على ركائز من خلال تفاعل كيميائي لمواد أولية غازية، مما يؤدي إلى ترسب مادة صلبة. تُستخدم هذه العملية بشكل شائع في تصنيع أشباه الموصلات وعلوم المواد.

السياق التاريخي

1932
1933
1937
1940
1947
1950
1950
1931
1932
1936-01-01
1938
1940
1950
1950
1950

(إذا كان التاريخ غير معروف أو غير ذي صلة، على سبيل المثال "ميكانيكا الموائع"، يتم توفير تقدير تقريبي لظهوره الملحوظ)

أحدث الإضافات

أهم المنشورات والمقالات

أفضل الأدوات الأصلية

السنة العاشرة عيد

الصور والتنزيلات بالحجم الكامل متاحة فقط، ومجانية تمامًا، للأعضاء المسجلين.