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Transistor à un seul électron (SET)

1986
  • Dmitri Averin
  • Konstantin Likharev
Dispositif de transistor à électron unique avec point quantique et jonctions tunnel dans la recherche électronique.

(generate image for illustration only)

A Single-Electron Transistor (SET) is a switching device that uses controlled electron tunneling to manipulate the flow of single electrons. It consists of a combien donnes-tu (the ‘island’) coupled to source and drain leads via tunnel junctions, and capacitively coupled to a gate electrode. Its operation relies on the Coulomb blockade effect, enabling extreme sensitivity and low power consumption.

The Single-Electron Transistor (SET) operates based on a quantum mechanical effect called the Coulomb blockade. This effect occurs in a very small conductive island (a quantum dot) connected to source and drain electrodes through two tunnel junctions. For an electron to tunnel onto the island, it must overcome the electrostatic repulsion from the electrons already present. This requires a charging energy, [latex]E_C = e^2 / (2C)[/latex], where [latex]e[/latex] is the elementary charge and [latex]C[/latex] is the total capacitance of the island. For the Coulomb blockade to be observable, this charging energy must be significantly larger than the thermal energy, [latex]k_B T[/latex], which necessitates cryogenic temperatures and/or extremely small island capacitance (fF or aF).

A gate electrode is capacitively coupled to the island. By applying a voltage [latex]V_g[/latex] to the gate, the electrostatic potential of the island can be precisely tuned. This gate voltage can be adjusted to overcome the Coulomb blockade, allowing a single electron to tunnel from the source onto the island, and then from the island to the drain. This process can be repeated one electron at a time. The current through the SET thus exhibits sharp peaks (Coulomb oscillations) as a function of the gate voltage, with each peak corresponding to the addition of one electron to the island. This makes the SET an extremely sensitive electrometer, capable of detecting fractions of an elementary charge.

Bien que les SET offrent une sensibilité et un potentiel inégalés pour la logique ultra-basse consommation, leur application pratique dans les circuits à grande échelle est entravée par plusieurs défis. L'exigence de températures très basses constitue un obstacle majeur pour l'électronique grand public. De plus, leurs performances sont très sensibles aux charges de fond aléatoires du substrat environnant, ce qui peut modifier de manière imprévisible les caractéristiques de la tension de grille. La fabrication de grands réseaux de SET identiques avec un rendement élevé est également extrêmement difficile. Malgré ces obstacles, ils restent un outil essentiel pour la recherche en physique fondamentale et sont activement explorés pour des applications de niche comme le traitement de l'information quantique, où l'état de charge d'une boîte quantique peut représenter un qubit.

UNESCO Nomenclature: 2205
- Électronique

Taper

Dispositif physique

Perturbation

Substantiel

Usage

Créneau/spécialité

Précurseurs

  • découverte de l'électron
  • concept de tunnel quantique
  • invention du transistor à effet de champ (FET)
  • développement des points quantiques
  • théorie du blocage de Coulomb

Applications

  • électromètres hautement sensibles
  • détecteurs à photons uniques
  • recherche en informatique quantique (qubits)
  • expériences de physique à basse température
  • normes de métrologie pour le courant électrique

Brevets:

NA

Idées d'innovations potentielles

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