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Le critère de Rayleigh (résolution optique)

1900
  • John William Strutt, 3rd Baron Rayleigh
Système de photolithographie par projection illustrant le critère de Rayleigh en optique.

(Image générée à titre d'illustration uniquement)

La taille minimale des caractéristiques qu'un système de photolithographie par projection peut imprimer est limitée par la diffraction et est approximée par le critère de Rayleigh. La dimension critique (CD) est donnée par [latex]CD = k_1 \cdot \frac{\lambda}{NA}[/latex], où [latex]\lambda[/latex] est la longueur d'onde de la lumière, NA est l'ouverture numérique de l'objectif, et [latex]k_1[/latex] est un coefficient lié au processus. Les caractéristiques plus petites nécessitent des longueurs d'onde plus courtes ou des ouvertures numériques plus élevées.

The Rayleigh criterion is a fundamental principle in optics that defines the limit of resolution for any imaging system, including the projection systems used in photolithography. It states that two point sources are just resolvable when the center of the diffraction pattern of one is directly over the first minimum of the diffraction pattern of the other. In the context of lithography, this translates to the smallest line or space that can be reliably printed. The formula [latex]CD = k_1 \cdot \frac{\lambda}{NA}[/latex] encapsulates the three primary levers for improving resolution. Firstly, reducing the wavelength ([latex]\lambda[/latex]) of the light source has been a major driver of progress, moving from g-line (436 nm) and i-line (365 nm) mercury lamps to Deep UV (DUV) excimer lasers like KrF (248 nm) and ArF (193 nm), and ultimately to Extreme UV (EUV) at 13.5 nm. Secondly, increasing the numerical aperture (NA) of the projection lens allows it to capture more diffracted light orders, leading to a sharper image. NA is defined as [latex]NA = n \sin \theta[/latex], where n is the refractive index of the medium between the lens and the wafer. Thirdly, the process factor [latex]k_1[/latex] represents the ‘cleverness’ of the process, encompassing improvements like resolution enhancement techniques (RET), photoresist chemistry, and process control. While theoretically [latex]k_1[/latex] has a minimum of 0.25, practical manufacturing values have been pushed down from ~0.8 towards ~0.3 through immense engineering effort. This equation has been the guiding principle for the semiconductor industry’s roadmap for decades, driving the relentless scaling predicted by Moore’s Law.

UNESCO Nomenclature: 2209
- Electromagnétisme

Taper

Système abstrait

Perturbation

Fondamentaux

Usage

Utilisation généralisée

Précurseurs

  • Principe de propagation des ondes de Huygens-Fresnel
  • théorie de la diffraction de Fraunhofer
  • développement de lentilles optiques de haute qualité

Applications

  • conception de microscopes à haute résolution
  • développement des procédés de lithographie des semi-conducteurs
  • conception de télescopes astronomiques
  • limites de densité de stockage de données sur disques optiques (CD, DVD, Blu-ray)

Brevets:

NA

Idées d'innovations potentielles

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En lien avec : critère de Rayleigh, résolution, ouverture numérique, longueur d'onde, facteur k1, limite de diffraction, photolithographie, DUV, EUV, optique.

Contexte historique

Le critère de Rayleigh (résolution optique)

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(si la date est inconnue ou non pertinente, par exemple « mécanique des fluides », une estimation arrondie de son émergence notable est fournie)

Inventions, innovations et principes techniques connexes

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