La taille minimale des caractéristiques qu'un système de photolithographie par projection peut imprimer est limitée par la diffraction et est approximée par le critère de Rayleigh. La dimension critique (CD) est donnée par [latex]CD = k_1 \cdot \frac{\lambda}{NA}[/latex], où [latex]\lambda[/latex] est la longueur d'onde de la lumière, NA est l'ouverture numérique de l'objectif, et [latex]k_1[/latex] est un coefficient lié au processus. Les caractéristiques plus petites nécessitent des longueurs d'onde plus courtes ou des ouvertures numériques plus élevées.





