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Der Transistor als digitaler Schalter

1959-11
  • Mohamed M. Atalla
  • Dawon Kahng
MOSFET-Transistor auf einer Leiterplatte im Elektroniklabor.

(Abbildung dient nur zur Veranschaulichung)

The fundamental building block of modern digital electronics is the transistor, specifically the MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). It operates as an electronically controlled switch. By applying a voltage to its gate terminal, the flow of current between its source and drain terminals can be turned on (representing a ‘1’) or off (representing a ‘0’), enabling the implementation of logic gates.

Während der erste Transistor der Bipolartransistor (BJT) war, entwickelte sich der MOSFET aufgrund seiner Skalierbarkeit, des geringeren Stromverbrauchs im statischen Zustand und der höheren Dichte zur dominierenden Technologie für digitale Schaltungen. Ein MOSFET besitzt drei Anschlüsse: Gate, Source und Drain. Das Gate ist durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal zwischen Source und Drain isoliert. Durch Anlegen einer Spannung an das Gate entsteht ein elektrisches Feld, das die Leitfähigkeit des Kanals steuert.

In digitalen Anwendungen wird ein MOSFET im Sperrbereich (Aus) und im Trioden-/Sättigungsbereich (Ein) betrieben. Liegt die Gate-Spannung unterhalb einer bestimmten Schwellenspannung, ist der Kanal nichtleitend, der Schalter ist „aus“ und repräsentiert eine logische „0“. Liegt die Gate-Spannung über der Schwellenspannung, wird der Kanal leitend, der Schalter ist „ein“ und repräsentiert eine logische „1“. Durch die Kombination von MOSFETs, typischerweise in einem komplementären Paar aus P- und N-Kanal (Bildung eines Doppelschichtsystems), lassen sich verschiedene Stromdichten erzeugen. CMOS Mit dieser Logik lassen sich alle grundlegenden Logikgatter aufbauen. Die Möglichkeit, MOSFETs zu miniaturisieren, wie im Moore’schen Gesetz beschrieben, hat das exponentielle Wachstum der Rechenleistung seit über einem halben Jahrhundert vorangetrieben.

UNESCO Nomenclature: 2205
- Elektronik

Typ

Physikalisches Gerät

Störung

Revolutionär

Verwendung

Weitverbreitete Verwendung

Vorläufer

  • Entdeckung des Elektrons
  • Entwicklung der Halbleiterphysik
  • Vakuumröhrentechnologie (Triode)
  • Erfindung des Spitzentransistors

Anwendungen

  • Mikroprozessoren
  • Speicherchips (DRAM, Flash)
  • integrierte Schaltkreise
  • Smartphones
  • Computer
  • alle modernen elektronischen Geräte

Patente:

  • US3102230A

Potenzielle Innovationsideen

  • Graphen-basierte Transistoren für ultraschnelles Schalten
  • Spintronische Transistoren, die Elektronenspin statt Ladung verwenden
  • Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFETs) für Anwendungen mit extrem geringem Stromverbrauch
  • transparente Transistoren für displayintegrierte Elektronik
  • biodegradable silicon transistors for temporary medizinische Implantate
  • neuromorphe transistors that mimic synaptic functions
  • vertikale oder 3D-Transistoren (FinFET, GAA) für die weitere Miniaturisierung
  • durch Licht gesteuerte photonische Transistoren für optisches Computing
Verwandt mit: Transistor, MOSFET, CMOS, Digitalschalter, Halbleiter, integrierter Schaltkreis, Logikgatter, Mooresches Gesetz.

Historischer Kontext

Der Transistor als digitaler Schalter

1950
1957
1957
1959-11
1960
1960
1960
1950
1950
1957
1958
1960
1960
1960
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(wenn das Datum unbekannt oder nicht relevant ist, z. B. „Strömungsmechanik“, wird eine gerundete Schätzung seines bemerkenswerten Auftretens bereitgestellt)

10. Jahr Jubiläum

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