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Einzelelektronentransistor (SET)

1986
  • Dmitri Averin
  • Konstantin Likharev
Einzelelektronentransistor-Bauelement mit Quantenpunkt und Tunnelübergängen in der Elektronikforschung.

(Abbildung dient nur zur Veranschaulichung)

Ein einzelnes Elektron Transistor Ein SET (Single-Electron Tunneling) ist ein Schaltelement, das den Fluss einzelner Elektronen durch kontrolliertes Elektronentunneln steuert. Es besteht aus einem quantum dot (die ‘Insel’), die über Tunnelübergänge mit den Source- und Drain-Leitungen und kapazitiv mit einer Gate-Elektrode verbunden ist. Sein Betrieb hängt von der Coulomb Blockade-Effekt, der eine hohe Empfindlichkeit und einen geringen Stromverbrauch ermöglicht.

The Single-Electron Transistor (SET) operates based on a quantum mechanical effect called the Coulomb blockade. This effect occurs in a very small conductive island (a quantum dot) connected to source and drain electrodes through two tunnel junctions. For an electron to tunnel onto the island, it must overcome the electrostatic repulsion from the electrons already present. This requires a charging energy, [latex]E_C = e^2 / (2C)[/latex], where [latex]e[/latex] is the elementary charge and [latex]C[/latex] is the total capacitance of the island. For the Coulomb blockade to be observable, this charging energy must be significantly larger than the thermal energy, [latex]k_B T[/latex], which necessitates cryogenic temperatures and/or extremely small island capacitance (fF or aF).

Eine Gate-Elektrode ist kapazitiv an die Insel gekoppelt. Durch Anlegen einer Spannung [latex]V_g[/latex] an das Gate lässt sich das elektrostatische Potenzial der Insel präzise einstellen. Diese Gate-Spannung kann so angepasst werden, dass die Coulomb-Blockade überwunden wird und ein einzelnes Elektron von der Source auf die Insel und anschließend von der Insel zur Drain tunneln kann. Dieser Vorgang kann für jedes Elektron einzeln wiederholt werden. Der Strom durch den SET zeigt daher in Abhängigkeit von der Gate-Spannung scharfe Peaks (Coulomb-Oszillationen), wobei jeder Peak der Hinzufügung eines Elektrons zur Insel entspricht. Dies macht den SET zu einem extrem empfindlichen Elektrometer, das Bruchteile einer Elementarladung nachweisen kann.

Obwohl SETs eine beispiellose Empfindlichkeit und das Potenzial für extrem stromsparende Logik bieten, wird ihre praktische Anwendung in groß angelegten Schaltungen durch mehrere Herausforderungen erschwert. Die Notwendigkeit sehr niedriger Temperaturen ist ein großes Hindernis für die Unterhaltungselektronik. Darüber hinaus ist ihre Leistung hochempfindlich gegenüber zufälligen Hintergrundladungen im umgebenden Substrat, die die Gate-Spannungseigenschaften unvorhersehbar verändern können. Auch die Herstellung großer Arrays identischer SETs mit hoher Ausbeute ist äußerst schwierig. Trotz dieser Hürden bleiben sie ein wichtiges Werkzeug in der physikalischen Grundlagenforschung und werden aktiv für Nischenanwendungen wie die Quanteninformationsverarbeitung erforscht, bei der der Ladungszustand eines Quantenpunkts ein Qubit darstellen kann.

UNESCO Nomenclature: 2205
- Elektronik

Typ

Physikalisches Gerät

Störung

Wesentliche

Verwendung

Nische/Spezialisiert

Vorläufer

  • Entdeckung des Elektrons
  • Konzept des Quantentunnelns
  • Erfindung des Feldeffekttransistors (FET)
  • Entwicklung von Quantenpunkten
  • Theorie der Coulomb-Blockade

Anwendungen

  • hochempfindliche Elektrometer
  • Einzelphotonendetektoren
  • Forschung im Bereich Quantencomputing (Qubits)
  • Tieftemperatur-Physik-Experimente
  • Metrologienormale für elektrischen Strom

Patente:

NA

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Verwandt mit: Einzelelektronentransistor, SET, Coulomb-Blockade, Quantenpunkt, Tunnelkontakt, Quantencomputing, Elektrometer, Nanoelektronik.

Historischer Kontext

Einzelelektronentransistor (SET)

1980
1980
1984
1986
1986
1991
1995
1980
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1984
1985
1986
1990
1994
1997

(wenn das Datum unbekannt oder nicht relevant ist, z. B. „Strömungsmechanik“, wird eine gerundete Schätzung seines bemerkenswerten Auftretens bereitgestellt)

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