カラーテレビ用ユーロピウム蛍光体

最初の実用的なレーザーは、1960年に実証されたルビーレーザーです。これは、合成ルビー結晶（クロムをドープした酸化アルミニウム）を利得媒体として使用する固体レーザーです。ルビーは強力なキセノンフラッシュチューブによって光励起され、クロムイオンの反転分布を生成し、波長694.3ナノメートルの深紅色の光ビームを生成します。

ブラシレスDC（BLDC）モーターは、機械式のブラシや整流子の代わりに電子制御装置を用いて巻線の電流を切り替える同期モーターです。通常、永久磁石ローターと巻線ステーターを備えています。制御装置は、センサー（ホール効果センサーなど）またはセンサーレスアルゴリズムを用いてローターの位置を検出し、巻線を順次励磁することで回転磁界を生成します。

CMOS（相補型金属酸化膜半導体）は、集積回路を構築するための主要な技術です。p型とn型のMOSFETの相補的なペアを用いて論理ゲートを構成します。その最大の利点は、静的消費電力が非常に低いことです。これは、ペアのトランジスタのうち一方が常にオフ状態であるため、スイッチング遷移時を除いて電流の流れが最小限に抑えられるためです。

1960年代にフランス人エンジニアのピエール・ベジエがルノーのために開発したUNISURFは、最初の本格的な3D CAD/CAMシステムの一つでした。その核心的な革新は、現在ベジ曲線およびベジ曲面として知られるものの使用でした。これらは一連の制御点によって定義されるパラメトリック曲線であり、自動車ボディの複雑な自由曲面形状を直感的かつ数学的に作成することを可能にします。

超伝導磁気エネルギー貯蔵（SMES）システムは、超伝導コイルに直流電流を流すことで発生する磁場にエネルギーを蓄積します。コイルが超伝導温度に保たれている限り、電気抵抗によるエネルギー損失がほとんどないため、エネルギーは無期限に蓄積できます。蓄積されるエネルギーは、[latex]E = frac{1}{2} LI^2[/latex]で与えられます。

ガウスビームとは、横方向の電場分布と強度分布がガウス関数で記述される電磁波ビームのことです。これは、基本横モード（TEM00）で動作するレーザーにおいて最も一般的な出力プロファイルです。このプロファイルにより、ビームは長距離にわたって高い集束性を維持でき、高ビーム品質を実現する理想的なケースとなります。

ショックレー・クイサー限界は、単一pn接合太陽電池の理論上の最大効率です。これは、放射再結合と黒体放射による損失のみを考慮しています。標準太陽光照射（AM1.5G）下で最適なバンドギャップ1.34 eVを持つ単一接合セルでは、最大効率は約33.7%です。この基本的な限界は、太陽電池の研究開発の指針となっています。

Qスイッチングは、高強度で短パルスのレーザー光を生成する技術です。この技術は、レーザー発振を一時的に停止させることで、利得媒体に反転分布による大量のエネルギーを蓄積させます。その後、レーザーの品質係数（Q値）を急速に高い値に切り替えることで、蓄積されたエネルギーを強力なナノ秒パルスとして放出します。

CIE Dシリーズ光源は、自然光の様々な段階を表す一連の標準スペクトルパワー分布（SPD）です。最も一般的なのはD65で、相関色温度は約6504Kであり、正午の平均的な昼光を表します。D50（5003K）も重要な標準であり、グラフィックアートでよく使用されます。これらの標準により、一貫した色再現が可能になります。

モード同期は、ピコ秒（10⁻¹²秒）からフェムト秒（10⁻¹⁵秒）オーダーの極めて短いレーザーパルスを生成する技術です。この技術は、レーザー共振器内の多数の縦モードを一定の位相関係で振動させることによって機能します。これにより、モードが建設的に干渉し、共振器内を循環する単一の強力な超短パルスが生成されます。

トップダウン合成とは、より大きなバルク材料を出発点として、それをナノスケールまで分解またはパターン化することでナノ材料を作製する手法です。主な技術としては、ボールミルなどの機械的方法や、フォトリソグラフィー、電子ビームリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィーなどのリソグラフィー法が挙げられます。これらの方法は、構造化された表面や集積回路の作製によく用いられますが、表面に欠陥が生じる可能性があります。

フライホイールエネルギー貯蔵（FES）は、ローター（フライホイール）を非常に高速に加速し、回転運動エネルギーとしてシステム内にエネルギーを維持することによって機能します。蓄積されるエネルギーは、回転速度の二乗に比例します。エネルギーが取り出されると、フライホイールの回転は減速します。蓄積エネルギーの式は、[latex]E = frac{1}{2} I omega^2[/latex]で、Iは慣性モーメント、ωは角速度です。

分子エレクトロニクスは、個々の分子またはナノスケールの分子集合体を基本的な電子部品として利用する研究分野です。このアプローチは、従来のシリコンベースの技術をはるかに超える、究極の小型化を実現した回路の構築を目指しています。主要な構成要素には、分子ワイヤー、スイッチ、整流器などがあり、分子軌道を介した電子トンネル効果といった量子力学的特性を利用して機能します。