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Transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET)

1998
  • Sumio Iijima
  • Cees Dekker
  • Phaedon Avouris
Transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono en un entorno de laboratorio, aplicación de la ciencia de los materiales.

(Imagen generada únicamente con fines ilustrativos)

A Carbon Nanotube Efecto de campo Transistor El transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET) utiliza un único nanotubo de carbono (CNT) o una matriz de CNT como material de canal en lugar de silicio a granel. Dependiendo de su quiralidad (la disposición de su red de grafeno), un CNT puede ser metálico o semiconductor, lo que lo convierte en un componente versátil para dispositivos nanoelectrónicos con un potencial de rendimiento superior.

A CNTFET operates on the same principle as a conventional MOSFET. It has a source, a drain, and a gate terminal. The key difference is the channel, which is formed by one or more nanotubos de carbono. When a voltage is applied to the gate, it creates an electric field that modulates the conductivity of the semiconducting CNT, turning the flow of current between the source and drain ‘on’ or ‘off’. The exceptional properties of CNTs make them highly attractive for this application. They exhibit extremely high carrier mobility, meaning electrons can travel through them with very little dispersiónEsto se traduce en velocidades de conmutación más rápidas y una mayor capacidad de conducción de corriente. Su estructura unidimensional proporciona un excelente control electrostático mediante la compuerta, lo que reduce los efectos de canal corto que afectan a los transistores de silicio miniaturizados.

Sin embargo, importantes desafíos han impedido la comercialización generalizada de los CNTFET. Un obstáculo importante es la síntesis de CNT. Los métodos de síntesis típicos producen una mezcla de nanotubos metálicos y semiconductores. Los metálicos actúan como cortocircuitos, impidiendo que el transistor se apague por completo y provocando una alta fuga de potencia. Separar estos tipos con una pureza del 100 % a gran escala es difícil y costoso. Otro desafío es colocar los CNT con una alineación y densidad precisas en una oblea. Finalmente, crear contactos eléctricos de baja resistencia en los extremos de los nanotubos no es trivial y puede limitar el rendimiento general del dispositivo.

A pesar de estos problemas, la investigación ha avanzado considerablemente. Se han desarrollado técnicas para eliminar selectivamente los nanotubos de carbono metálicos o convertirlos en semiconductores. Se han construido circuitos complejos, incluyendo un microprocesador de 16 bits, utilizando transistores de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET), lo que demuestra la viabilidad de la tecnología. Sus propiedades únicas también los hacen ideales para aplicaciones novedosas, como biosensores de alta sensibilidad, donde la conductancia del nanotubo de carbono cambia drásticamente al unirse a una molécula objetivo, y para la electrónica flexible debido a su resistencia mecánica y flexibilidad inherentes.

UNESCO Nomenclature: 3313
- Ciencia de los materiales

Tipo

Dispositivo físico

Ruptura

Sustancial

Uso

Tecnología emergente

Precursores

  • invention of the field-effect transistor (FET)
  • descubrimiento de los fulerenos
  • descubrimiento y síntesis de nanotubos de carbono
  • desarrollo de técnicas de fabricación de semiconductores (litografía, deposición)

Aplicaciones

  • electrónica de alta frecuencia
  • sensores químicos y biológicos
  • electrónica flexible y transparente
  • Posible reemplazo del silicio en circuitos lógicos futuros

Patentes:

  • US6835601B2
  • US7015501B2

Ideas para posibles innovaciones

  • Sensores autoalimentados que recolectan energía de las vibraciones ambientales utilizando CNT piezoeléctricos
  • Electrónica reforzada con radiación para aplicaciones espaciales
  • dispositivos de comunicación de frecuencia de terahercios
  • implantable neural interfaces with high biocompatibilidad
  • Transistores transparentes para pantallas de visualización frontal integradas en gafas
  • Generadores termoeléctricos ultraeficientes que utilizan matrices de CNT
  • Dispositivos lógicos basados ​​en espín que utilizan contactos magnéticos en CNT
  • artificial fotosíntesis systems using CNTs as charge separation and transport channels
Related to: CNTFET, carbon nanotube, field-effect transistor, carrier mobility, chirality, nanoelectronics, post-silicon technology, flexible electronics.

Contexto histórico

Transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNTFET)

1992
1993-07-22
1996
1998
1999
2000
2000
1992
1993
1994
1997
1998
1999-05-01
2000
2000

(Si la fecha es desconocida o no es relevante, por ejemplo "mecánica de fluidos", se proporciona una estimación redondeada de su aparición notable)

décimo año aniversario

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