Product Design, Manufacturing & Innovation Resources
بيت » التصنيع الدقيق بكميات كبيرة لأنظمة MEMS

التصنيع الدقيق بكميات كبيرة لأنظمة MEMS

1970
Bulk micromachining process for MEMS fabrication on silicon wafers.

(صورة توضيحية فقط)

التصنيع الدقيق بكميات كبيرة هو عملية تصنيع طرحية تُنتج MEMS تُصنع الهياكل عن طريق الحفر الانتقائي في الركيزة، وعادةً ما تكون رقاقة سيليكون. وتستخدم تقنيات الحفر الرطب أو الجاف لتشكيل المادة الأساسية. وتُعدّ المواد الكيميائية غير المتناحية مثل هيدروكسيد البوتاسيوم (KOH) شائعة الاستخدام، لأنها تحفر مستويات بلورية مختلفة من السيليكون بمعدلات مختلفة، مما يُمكّن من إنشاء أخاديد وتجاويف دقيقة على شكل حرف V.

تُعدّ عملية التصنيع الدقيق الكتلي من أقدم وأكثر الطرق رسوخًا في تصنيع الأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS). وباعتبارها عملية طرحية، فإنها تتضمن تشكيل خصائص الجهاز مباشرةً من كتلة الركيزة، وعادةً ما تكون رقاقة سيليكون أحادية البلورة. وتعتمد هذه التقنية بشكل كبير على الحفر، الذي يمكن تصنيفه بشكل عام إلى حفر رطب (كيميائي) أو حفر جاف (يعتمد على البلازما).

يُعدّ الحفر الرطب الطريقة التقليدية. يمكن أن يكون متساوي الخواص، حيث يتم الحفر بنفس المعدل في جميع الاتجاهات، مما ينتج عنه أشكال مستديرة ذات حواف مائلة. أما في أنظمة MEMS، فيُستخدم عادةً الحفر الرطب غير متساوي الخواص. تستغل هذه الطريقة حقيقة أن معدل الحفر في السيليكون أحادي البلورة يعتمد على التوجه البلوري. تعمل مواد الحفر مثل هيدروكسيد البوتاسيوم (KOH) وهيدروكسيد رباعي ميثيل الأمونيوم (TMAH) وإيثيلين ديامين بيروكاتيكول (EDP) على حفر مستويات البلورة (100) و(110) بسرعة أكبر بكثير من مستويات (111). من خلال محاذاة نمط القناع مع محاور البلورة على رقاقة ذات توجه (100)، يمكن استخدام هذه الخاصية لإنشاء هياكل محددة بدقة ذات جدران جانبية مائلة، مثل الأخاديد على شكل حرف V للألياف البصرية أو الحفر الهرمية. تعمل مستويات (111) كحدود طبيعية للحفر، مما يسمح بتحكم ممتاز في الشكل الهندسي النهائي. تُعد الأغشية المستخدمة في أجهزة استشعار الضغط تطبيقًا كلاسيكيًا، حيث يتم تشكيلها عن طريق الحفر من الجانب الخلفي للرقاقة حتى الوصول إلى طبقة توقف الحفر (مثل طبقة البورون المشوبة بشدة أو التوقف الكهروكيميائي عند وصلة pn).

أصبح الحفر الجاف، وخاصة الحفر الأيوني التفاعلي العميق (DRIE)، تقنيةً سائدةً في التصنيع الدقيق للمواد الصلبة. يسمح الحفر الأيوني التفاعلي العميق بإنشاء هياكل عميقة جدًا ذات نسبة أبعاد عالية وجدران جانبية شبه عمودية، وهو أمر غير ممكن مع الحفر الرطب. الطريقة الأكثر شيوعًا هي "عملية بوش"، التي تتناوب بين خطوة حفر (باستخدام بلازما مثل سادس فلوريد الكبريت) و... passivation تُستخدم في هذه الخطوة (باستخدام غاز بلمرة مثل C4F8). تحمي طبقة التخميل الجدران الجانبية من التآكل، مما يجبر عملية التآكل على أن تتم بشكل أساسي في الاتجاه الرأسي. تُكرر هذه الدورة مئات أو آلاف المرات للوصول إلى أعماق تصل إلى مئات الميكرونات. تُعد تقنية الحفر العميق التفاعلي للأيونات (DRIE) ضرورية لتصنيع أجهزة الاستشعار بالقصور الذاتي الحديثة عالية الأداء. microfluidic الأجهزة، والوصلات عبر السيليكون (TSVs) لتكديس الرقائق ثلاثية الأبعاد.

UNESCO Nomenclature: 3313
– Industrial Engineering

يكتب

Chemical Process

خلل

أساسيات

الاستخدام

استخدام واسع النطاق

مقدمات

  • crystal orientation knowledge in silicon wafers
  • development of chemical etchants for silicon
  • photolithography for pattern definition
  • masking materials resistant to etchants (e.g., silicon nitride)

التطبيقات

  • pressure sensor diaphragms
  • inkjet printer nozzles
  • microfluidic channels
  • atomic force microscope (AFM) cantilevers
  • v-grooves for optical fiber alignment

براءات الاختراع:

  • US4187139A
  • US5501893A

أفكار ابتكارية محتملة

  • high-performance inertial navigation units with deep etched proof masses
  • micro-turbines for portable power generation
  • advanced cooling systems for CPUs with micro-channel heat sinks
  • lab-on-a-chip devices with complex, deep fluidic networks
  • optical benches on a chip with precisely etched alignment features
  • through-silicon vias (TSVs) for 3d integrated circuit stacking
  • high-q factor mechanical resonators for timing applications
  • arrays of micro-needles for painless drug delivery
  • miniaturized mass spectrometers
  • fuel cell components with high surface area electrodes
Related to: bulk micromachining, MEMS, etching, silicon, anisotropic etching, KOH, DRIE, deep reactive-ion etching, subtractive process, microfabrication.

السياق التاريخي

التصنيع الدقيق بكميات كبيرة لأنظمة MEMS

1970
1970
1970
1970
1972
1974
1975-06-01
1965-12-21
1970
1970
1970
1970
1974
1974
1978

(إذا كان التاريخ غير معروف أو غير ذي صلة، على سبيل المثال "ميكانيكا الموائع"، يتم توفير تقدير تقريبي لظهوره الملحوظ)

أحدث الإضافات

أهم المنشورات والمقالات

أفضل الأدوات الأصلية

السنة العاشرة عيد

الصور والتنزيلات بالحجم الكامل متاحة فقط، ومجانية تمامًا، للأعضاء المسجلين.