Product Design, Manufacturing & Innovation Resources
بيت » أشباه الموصلات المعدنية المكملة (CMOS)

أشباه الموصلات المعدنية المكملة (CMOS)

1963
  • Frank Wanlass
  • Chih-Tang Sah
Modern semiconductor fabrication facility focusing on CMOS technology and processes.

(صورة توضيحية فقط)

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) is the dominant technology for constructing integrated circuits. It uses complementary pairs of p-type and n-type MOSFETs to build logic gates. Its primary advantage is very low static power consumption, as one transistor in the pair is always off during steady state, resulting in minimal current flow except during switching transitions.

A CMOS logic gate, such as an inverter, is constructed with both a PMOS (p-type) and an NMOS (n-type) transistor. The PMOS transistor is connected to the positive voltage supply (Vdd), and the NMOS transistor is connected to ground (GND). Their gates are tied together as the input, and their drains are tied together as the output. When the input is low (logic 0), the PMOS transistor turns on, and the NMOS turns off, pulling the output high to Vdd (logic 1). Conversely, when the input is high (logic 1), the PMOS turns off, and the NMOS turns on, pulling the output low to GND (logic 0).

In either stable state (output high or low), one of the transistors is off, creating a very high resistance path between the power supply and ground. This means that virtually no current flows, leading to extremely low static power dissipation. Power is primarily consumed only when the transistors are switching states. This characteristic made CMOS technology ideal for battery-powered devices and for creating highly dense integrated circuits where managing heat dissipation is a critical challenge. The scalability of CMOS, allowing for smaller and faster transistors with each generation, has been the engine behind Moore’s Law and the digital revolution.

UNESCO Nomenclature: 2205
– Electronics

يكتب

Physical Device

خلل

Revolutionary

الاستخدام

استخدام واسع النطاق

مقدمات

  • اختراع MOSFET
  • تطوير المنشطات لأشباه الموصلات من النوع p والنوع n
  • عملية مستوية لتصنيع الترانزستورات
  • اختراع الدائرة المتكاملة

التطبيقات

  • المعالجات الدقيقة
  • المتحكمات الدقيقة
  • ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة (sram)
  • أجهزة استشعار الصور
  • أحدث الدوائر المنطقية الرقمية

براءات الاختراع:

  • US3356858

أفكار ابتكارية محتملة

  • دوائر CMOS دون العتبة لأجهزة إنترنت الأشياء منخفضة الطاقة للغاية
  • مستشعرات صور CMOS للكاميرات الرقمية والهواتف الذكية
  • CMOS السيليكون على العازل (soi) لتحسين الأداء وصلابة الإشعاع
  • تكامل CMOS ثلاثي الأبعاد لتكديس طبقات الدوائر المتعددة عموديًا
  • cryogenic cmos for quantum computer control interfaces
  • cmos-compatible mems (micro-electro-mechanical systems)
  • ترانزستورات فينفت وبوابة شاملة (gaa) كتطورات لـ CMOS
  • أجهزة استشعار حيوية تعتمد على CMOS للتشخيص الطبي
Related to: cmos, mosfet, integrated circuit, low power, semiconductor, digital logic, microprocessor, transistor.

السياق التاريخي

أشباه الموصلات المعدنية المكملة (CMOS)

1960
1960-05-16
1962
1963
1964
1968
1970
1960
1960
1961
1962
1963
1965
1970
1970

(إذا كان التاريخ غير معروف أو غير ذي صلة، على سبيل المثال "ميكانيكا الموائع"، يتم توفير تقدير تقريبي لظهوره الملحوظ)

أحدث الإضافات

أهم المنشورات والمقالات

أفضل الأدوات الأصلية

السنة العاشرة عيد

الصور والتنزيلات بالحجم الكامل متاحة فقط، ومجانية تمامًا، للأعضاء المسجلين.