互补金属氧化物半导体 (CMOS)

平均故障间隔时间（MTBF）是一种可靠性指标，代表可修复系统固有故障之间的预测经过时间。对于具有恒定故障率 [latex]\lambda[/latex] 的系统，MTBF 是其倒数：[latex]MTBF = 1/\lambda[/latex]。假设故障呈指数分布，这一简单关系是可靠性工程中预测系统正常运行时间和规划维护计划的基础。

对于由串联组件组成的系统，任何单个故障都会导致系统失效，因此总故障率就是单个故障率之和。系统的 MTBF 是这一总和的倒数：[latex]MTBF_{system} = (\sum_{i=1}^{n} \lambda_i)^{-1} = (1/MTBF_1 + 1/MTBF_2 + ... + 1/MTBF_n)^{-1}[/latex] 。这意味着系统的 MTBF 总是小于最低单个组件的 MTBF。

该方法利用放射性同位素源（通常是钴-60）发射的高能光子对产品进行灭菌。伽马射线穿过材料，产生自由基，对微生物DNA造成不可修复的损伤，导致细胞死亡。这是一种“冷”灭菌工艺，适用于热敏性物品，并且可对已处于最终密封包装中的产品进行灭菌。

自上而下的合成是指从较大的块体材料开始，将其分解或图案化至纳米尺度，从而创建纳米材料。关键技术包括球磨等机械方法和光刻方法，例如光刻、电子束光刻和纳米压印光刻。这些方法通常用于创建结构化表面和集成电路，但可能会受到表面缺陷的影响。

失效物理学（PoF）是一种可靠性工程方法，它利用材料科学和物理学知识来理解失效的根本原因机制并建立模型。它不单纯依赖过去故障的统计数据，而是通过分析导致退化和故障的物理过程（如疲劳、腐蚀、蠕变）来预测故障。

量子尺寸效应描述的是当材料的尺寸接近纳米级时，其电子和光学特性发生变化的现象。当材料的尺寸与电子的德布罗格利波长相当时，就会产生量子约束。这将量子化电子能级，从而产生与尺寸相关的带隙，[latex]E_g(R) \approx E_{g,\b\u\lk} + \frac\{hb}.+ （\frac{1}{m_e^*} + \frac{1}{m_h^*}）[/latex]。

重复性评估在相同条件下的精密度，而再现性评估在一个或多个条件（例如操作员、仪器或位置）发生变化时的精密度。再现性方差始终大于或等于重复性方差。这种区别对于理解测量变异性至关重要，尤其是在条件本质上不同的实验室间比较中。

对于可修复系统，平均故障间隔时间 (MTBF) 是平均故障间隔时间 (MTTF) 和平均修复时间 (MTTR) 的总和。计算公式为 [latex]MTBF = MTTF + MTTR[/latex]。MTTF 代表发生故障前的平均运行时间，而 MTTR 是修复系统所需的平均时间。这一区别对于理解系统可用性至关重要。

洁净室利用两种主要气流原理来控制污染。紊流（或非单向）涉及混合气流，适用于不太严格的等级（ISO 6-9）。层流（或单向）气流采用平行、恒速气流将颗粒从环境中排出，对 ISO 1-5 等高纯度应用至关重要，可防止交叉污染并确保快速清除颗粒。

肖克利-奎瑟极限是单pn结太阳能电池的最大理论效率。它仅考虑辐射复合和黑体辐射损耗。对于在标准太阳辐射（AM1.5G）下，最佳带隙为1.34 eV的单结电池，其最大效率约为33.7%。这一基本极限指导着太阳能电池的研究和设计。

UNISURF 由法国工程师皮埃尔·贝塞尔 (Pierre Bézier) 于 20 世纪 60 年代为雷诺 (Renault) 开发，是首批真正的 3D CAD/CAM 系统之一。其核心创新在于使用了如今被称为贝塞尔曲线和曲面的技术。这些曲线和曲面是由一组控制点定义的参数曲线，能够直观地以数学方式创建复杂的车身自由形状。

分子电子学探索利用单个分子或纳米级分子集合作为基本电子元件。该方法旨在构建微型化极限的电路，远远超越传统的硅基技术。关键元件包括分子线、开关和整流器，它们利用电子隧穿分子轨道等量子力学特性来实现功能。

锂离子电池通过插层机制发挥作用，即离子可逆地插入层状主材料中。在放电过程中，锂离子（[latex]Li^+[/latex]）从负极（阳极）（通常是石墨）脱闰，并通过非水电解质闰入正极（阴极）（通常是金属氧化物）。电子穿过外部电路，产生电流。

单电子晶体管 (SET) 是一种利用受控电子隧穿效应来操控单个电子流动的开关器件。它由一个量子点（“岛”）组成，该量子点通过隧道结耦合到源极和漏极引线，并通过电容耦合到栅极。其工作原理依赖于库仑阻塞效应，从而实现极高的灵敏度和低功耗。