CMOS(互补金属氧化物半导体)是构建集成电路的主流技术。它使用一对互补的 p 型和 n 型 MOSFET 来构建逻辑门。它的主要优点是静态功耗非常低,因为一个 三极管 在稳态期间,这对元件中的电容始终处于关断状态,因此除开关转换期间外,电流极小。

(图片仅供参考)
CMOS(互补金属氧化物半导体)是构建集成电路的主流技术。它使用一对互补的 p 型和 n 型 MOSFET 来构建逻辑门。它的主要优点是静态功耗非常低,因为一个 三极管 在稳态期间,这对元件中的电容始终处于关断状态,因此除开关转换期间外,电流极小。
CMOS 逻辑门(例如反相器)由 PMOS(p 型)晶体管和 NMOS(n 型)晶体管构成。PMOS 晶体管连接到正电源 (Vdd),NMOS 晶体管连接到地 (GND)。它们的栅极连接在一起作为输入,漏极连接在一起作为输出。当输入为低电平(逻辑 0)时,PMOS 晶体管导通,NMOS 晶体管截止,将输出拉高至 Vdd(逻辑 1)。相反,当输入为高电平(逻辑 1)时,PMOS 晶体管截止,NMOS 晶体管导通,将输出拉低至 GND(逻辑 0)。
在任一稳定状态(输出高电平或低电平)下,其中一个晶体管都处于关断状态,从而在电源和地之间形成一条电阻非常高的通路。这意味着几乎没有电流流过,因此静态功耗极低。只有当晶体管处于开关状态时,才会消耗大量电能。这一特性使 CMOS 技术成为电池供电设备和创建高密度集成电路的理想选择,而在高密度集成电路中,散热管理是一项严峻的挑战。CMOS 的可扩展性使每一代晶体管的尺寸更小、速度更快,是摩尔定律和数字革命背后的动力。
互补金属氧化物半导体 (CMOS)
(如果日期未知或不相关,例如“流体力学”,则提供其显著出现的近似估计)
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