Hogar » Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS)

Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS)

1963
  • Frank Wanlass
  • Chih-Tang Sah
Moderna instalación de fabricación de semiconductores centrada en la tecnología y los procesos CMOS.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) es la tecnología dominante para construir circuitos integrados. Utiliza pares complementarios de MOSFET de tipo p y n para construir puertas lógicas. Su principal ventaja es que consume muy poca energía estática, ya que una transistor en el par está siempre apagado durante el estado estacionario, lo que resulta en un flujo de corriente mínimo excepto durante las transiciones de conmutación.

Una puerta lógica CMOS, como un inversor, se construye con un transistor PMOS (tipo p) y uno NMOS (tipo n). El transistor PMOS se conecta a la fuente de voltaje positivo (Vdd) y el transistor NMOS a tierra (GND). Sus puertas están conectadas entre sí como entrada y sus drenadores como salida. Cuando la entrada es baja (0 lógico), el transistor PMOS se activa y el NMOS se desactiva, elevando la salida a Vdd (1 lógico). Por el contrario, cuando la entrada es alta (1 lógico), el PMOS se desactiva y el NMOS se activa, elevando la salida a GND (0 lógico).

En cualquiera de los dos estados estables (salida alta o baja), uno de los transistores está apagado, lo que crea una vía de muy alta resistencia entre la fuente de alimentación y tierra. Esto significa que prácticamente no fluye corriente, lo que conlleva una disipación de potencia estática extremadamente baja. Sólo se consume energía cuando los transistores conmutan de estado. Esta característica hace que la tecnología CMOS sea ideal para dispositivos alimentados por baterías y para crear circuitos integrados de alta densidad en los que la gestión de la disipación de calor es un reto crítico. La escalabilidad del CMOS, que permite obtener transistores más pequeños y rápidos con cada generación, ha sido el motor de la Ley de Moore y la revolución digital.

UNESCO Nomenclature: 2205
- Electrónica

Tipo

Dispositivo físico

Disrupción

Revolucionario

Utilización

Uso generalizado

Precursores

  • Invención del MOSFET
  • Desarrollo del dopaje de semiconductores de tipo p y tipo n
  • Proceso planar para fabricación transistores
  • Invención del circuito integrado

Aplicaciones

  • microprocesadores
  • microcontroladores
  • RAM estática (SRAM)
  • sensores de imagen
  • La mayoría de los circuitos lógicos digitales modernos

Patentes:

  • US3356858

Posibles ideas innovadoras

Membresía obligatoria de Professionals (100% free)

Debes ser miembro de Professionals (100% free) para acceder a este contenido.

Únete ahora

¿Ya eres miembro? Accede aquí
Relacionado con: cmos, mosfet, circuito integrado, bajo consumo, semiconductor, lógica digital, microprocesador, transistor.

Deja una respuesta

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

DISPONIBLE PARA NUEVOS RETOS
Ingeniero Mecánico, Gerente de Proyectos, Ingeniería de Procesos o I+D
Desarrollo eficaz de productos

Disponible para un nuevo desafío a corto plazo.
Contáctame en LinkedIn
Integración de electrónica de metal y plástico, diseño a coste, GMP, ergonomía, dispositivos y consumibles de volumen medio a alto, fabricación eficiente, industrias reguladas, CE y FDA, CAD, Solidworks, cinturón negro Lean Sigma, ISO 13485 médico

Estamos buscando un nuevo patrocinador

 

¿Su empresa o institución se dedica a la técnica, la ciencia o la investigación?
> Envíanos un mensaje <

Recibe todos los artículos nuevos
Gratuito, sin spam, correo electrónico no distribuido ni revendido.

o puedes obtener tu membresía completa -gratis- para acceder a todo el contenido restringido >aquí<

Contexto histórico

(si se desconoce la fecha o no es relevante, por ejemplo "mecánica de fluidos", se ofrece una estimación redondeada de su notable aparición)

Invención, innovación y principios técnicos relacionados

Scroll al inicio

También te puede interesar