锁模（激光器）

肖克利-奎瑟极限是单pn结太阳能电池的最大理论效率。它仅考虑辐射复合和黑体辐射损耗。对于在标准太阳辐射（AM1.5G）下，最佳带隙为1.34 eV的单结电池，其最大效率约为33.7%。这一基本极限指导着太阳能电池的研究和设计。

Q开关是一种产生高强度、短脉冲激光的技术。其工作原理是暂时抑制激光活动，使增益介质通过粒子数反转储存大量能量。然后，激光器的品质因子（Q值）迅速切换到高值，从而将储存的能量以单个强大的纳秒脉冲的形式释放出来。

CIE D系列光源是一套标准光谱功率分布（SPD），代表自然日光的不同阶段。最常用的是D65，其相关色温约为6504 K，代表平均正午日光。D50（5003 K）是另一个关键标准，常用于图形艺术。这些标准能够确保色彩还原的一致性。

自上而下的合成是指从较大的块体材料开始，将其分解或图案化至纳米尺度，从而创建纳米材料。关键技术包括球磨等机械方法和光刻方法，例如光刻、电子束光刻和纳米压印光刻。这些方法通常用于创建结构化表面和集成电路，但可能会受到表面缺陷的影响。

飞轮储能（FES）的工作原理是将转子（飞轮）加速到非常高的速度，并将能量作为旋转动能保持在系统中。存储的能量与转速的平方成正比。当能量被提取出来时，飞轮的旋转速度会减慢。存储能量的计算公式为 [latex]E = \frac{1}{2}I \omega^2[/latex]，其中 I 是惯性矩，ω 是角速度。.

分子电子学探索利用单个分子或纳米级分子集合作为基本电子元件。该方法旨在构建微型化极限的电路，远远超越传统的硅基技术。关键元件包括分子线、开关和整流器，它们利用电子隧穿分子轨道等量子力学特性来实现功能。

第一台实用激光器是红宝石激光器，于1960年研制成功。它是一种固态激光器，使用合成红宝石晶体（掺铬氧化铝）作为增益介质。红宝石晶体由强大的氙灯闪光管进行光泵浦，使铬离子发生粒子数反转，从而产生波长为694.3纳米的深红色光束。

无刷直流 (BLDC) 电机是一种同步电机，它使用电子控制器（而非机械电刷）和换向器来切换绕组中的电流。它通常具有永磁转子和绕线定子。控制器使用传感器（例如霍尔效应传感器）或无传感器算法来确定转子位置，并按顺序给绕组通电，从而产生旋转磁场。

CMOS（互补金属氧化物半导体）是构建集成电路的主流技术。它使用互补的p型和n型MOSFET对来构建逻辑门。其主要优势是静态功耗极低，因为在稳定状态下，互补对中的一个晶体管始终处于关闭状态，因此除了开关转换期间外，电流流动极小。

发现掺铕的钒酸钇（[latex]YVO_4:Eu^{3+}[/latex]）可以作为一种亮丽的红色荧光粉，是彩色电视的一个关键性突破。在此之前，红色荧光粉的发光强度较弱，导致色彩暗淡。[latex]Eu^{3+}[/latex] 离子发出的强烈窄带红色荧光使色彩显示明亮、鲜艳，极大地提高了彩色电视的质量，并为显示技术设定了标准。.

UNISURF 由法国工程师皮埃尔·贝塞尔 (Pierre Bézier) 于 20 世纪 60 年代为雷诺 (Renault) 开发，是首批真正的 3D CAD/CAM 系统之一。其核心创新在于使用了如今被称为贝塞尔曲线和曲面的技术。这些曲线和曲面是由一组控制点定义的参数曲线，能够直观地以数学方式创建复杂的车身自由形状。

超导磁能储存（SMES）系统将能量储存在超导线圈中的直流电流所产生的磁场中。只要线圈保持在超导温度下，能量就可以无限存储，因为几乎不会因电阻而造成能量损失。存储的能量由 [latex]E = \frac{1}{2} 给出。L I^2[/latex].

Ganz-Griesser白度指数是一种广泛应用的线性公式，尤其在纺织行业中。该公式源自CIE三刺激值，定义为：[latex]W_{GG} = Y - Px - Qy + C[/latex]，其中P、Q和C为光源与观察者特有的常数。 在D65/10°条件下，该公式为：[latex]W_{GG} = Y - 1868.322x - 3695.690y + 1809.441[/latex]。.