投影フォトリソグラフィシステムで印刷できる最小パターンサイズは回折によって制限され、レイリー基準によって近似されます。臨界寸法 (CD) は、[latex]CD = k_1 cdot frac{lambda}{NA}[/latex] で与えられます。ここで、[latex]lambda[/latex] は光の波長、NA はレンズの開口数、[latex]k_1[/latex] はプロセス関連の係数です。より小さなパターンには、より短い波長またはより高い開口数が必要です。

(画像はイメージです)
投影フォトリソグラフィシステムで印刷できる最小パターンサイズは回折によって制限され、レイリー基準によって近似されます。臨界寸法 (CD) は、[latex]CD = k_1 cdot frac{lambda}{NA}[/latex] で与えられます。ここで、[latex]lambda[/latex] は光の波長、NA はレンズの開口数、[latex]k_1[/latex] はプロセス関連の係数です。より小さなパターンには、より短い波長またはより高い開口数が必要です。
The Rayleigh criterion is a fundamental principle in optics that defines the limit of resolution for any imaging system, including the projection systems used in photolithography. It states that two point sources are just resolvable when the center of the diffraction pattern of one is directly over the first minimum of the diffraction pattern of the other. In the context of lithography, this translates to the smallest line or space that can be reliably printed. The formula [latex]CD = k_1 \cdot \frac{\lambda}{NA}[/latex] encapsulates the three primary levers for improving resolution. Firstly, reducing the wavelength ([latex]\lambda[/latex]) of the light source has been a major driver of progress, moving from g-line (436 nm) and i-line (365 nm) mercury lamps to Deep UV (DUV) excimer lasers like KrF (248 nm) and ArF (193 nm), and ultimately to Extreme UV (EUV) at 13.5 nm. Secondly, increasing the numerical aperture (NA) of the projection lens allows it to capture more diffracted light orders, leading to a sharper image. NA is defined as [latex]NA = n \sin \theta[/latex], where n is the refractive index of the medium between the lens and the wafer. Thirdly, the process factor [latex]k_1[/latex] represents the ‘cleverness’ of the process, encompassing improvements like resolution enhancement techniques (RET), photoresist chemistry, and process control. While theoretically [latex]k_1[/latex] has a minimum of 0.25, practical manufacturing values have been pushed down from ~0.8 towards ~0.3 through immense engineering effort. This equation has been the guiding principle for the semiconductor industry’s roadmap for decades, driving the relentless scaling predicted by Moore’s Law.
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レイリー基準(光学分解能)
(日付が不明または関連性がない場合、例えば「流体力学」などでは、その注目すべき出現時期の概算値が提示されます。)
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