Heim » Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS)

Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS)

1963
  • Frank Wanlass
  • Chih-Tang Sah
Moderne Halbleiterfertigungsanlage mit Schwerpunkt auf CMOS-Technologie und -Prozessen.

CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) is the dominant technology for constructing integrated circuits. It uses complementary pairs of p-type and n-type MOSFETs to build logic gates. Its primary advantage is very low static power consumption, as one transistor in the pair is always off during steady state, resulting in minimal current flow except during switching transitions.

Ein CMOS-Logikgatter, z. B. ein Inverter, besteht aus einem PMOS-Transistor (p-Typ) und einem NMOS-Transistor (n-Typ). Der PMOS-Transistor ist mit der positiven Versorgungsspannung (Vdd) verbunden, der NMOS-Transistor mit Masse (GND). Ihre Gates bilden den Eingang, ihre Drains den Ausgang. Bei einem Low-Pegel (logisch 0) schaltet der PMOS-Transistor ein und der NMOS-Transistor aus, wodurch der Ausgang auf Vdd (logisch 1) gezogen wird. Umgekehrt schaltet der PMOS-Transistor bei einem High-Pegel (logisch 1) aus und der NMOS-Transistor ein, wodurch der Ausgang auf Masse (logisch 0) gezogen wird.

In either stable state (output high or low), one of the transistors is off, creating a very high resistance path between the power supply and ground. This means that virtually no current flows, leading to extremely low static power dissipation. Power is primarily consumed only when the transistors are switching states. This characteristic made CMOS technology ideal for battery-powered devices and for creating highly dense integrated circuits where managing heat dissipation is a critical challenge. The scalability of CMOS, allowing for smaller and faster transistors with each generation, has been the engine behind Moore’s Law and the digital revolution.

UNESCO Nomenclature: 2205
– Electronics

Typ

Physikalisches Gerät

Unterbrechung

Revolutionär

Verwendung

Weit verbreitete Verwendung

Vorläufersubstanzen

  • Erfindung des MOSFET
  • Entwicklung der p-Typ- und n-Typ-Halbleiterdotierung
  • Planar process for Herstellung transistors
  • Erfindung des integrierten Schaltkreises

Anwendungen

  • Mikroprozessoren
  • Mikrocontroller
  • statischer RAM (SRAM)
  • Bildsensoren
  • modernste digitale Logikschaltungen

Patente:

  • US3356858

Mögliche Innovationsideen

!Professionals (100% free) Mitgliedschaft erforderlich

Sie müssen ein Professionals (100% free) Mitglied sein, um auf diesen Inhalt zugreifen zu können.

Jetzt teilnehmen

Sie sind bereits Mitglied? Hier einloggen
Related to: cmos, mosfet, integrated circuit, low power, semiconductor, digital logic, microprocessor, transistor.

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert

VERFÜGBAR FÜR NEUE HERAUSFORDERUNGEN
Maschinenbauingenieur, Projekt-, Verfahrenstechnik- oder F&E-Manager
Effektive Produktentwicklung

Kurzfristig für eine neue Herausforderung verfügbar.
Kontaktieren Sie mich auf LinkedIn
Integration von Kunststoff-Metall-Elektronik, Design-to-Cost, GMP, Ergonomie, Geräte und Verbrauchsmaterialien in mittleren bis hohen Stückzahlen, Lean Manufacturing, regulierte Branchen, CE und FDA, CAD, Solidworks, Lean Sigma Black Belt, medizinische ISO 13485

Wir suchen einen neuen Sponsor

 

Ihr Unternehmen oder Ihre Institution beschäftigt sich mit Technik, Wissenschaft oder Forschung?
> Senden Sie uns eine Nachricht <

Erhalten Sie alle neuen Artikel
Kostenlos, kein Spam, E-Mail wird nicht verteilt oder weiterverkauft

oder Sie können eine kostenlose Vollmitgliedschaft erwerben, um auf alle eingeschränkten Inhalte zuzugreifen >Hier<

Historischer Kontext

(wenn das Datum nicht bekannt oder nicht relevant ist, z. B. "Strömungsmechanik", wird eine gerundete Schätzung des bemerkenswerten Erscheinens angegeben)

Verwandte Erfindungen, Innovationen und technische Prinzipien

Nach oben scrollen

Das gefällt dir vielleicht auch