Product Design, Manufacturing & Innovation Resources
» PN结电致发光

PN结电致发光

1927
  • Oleg Losev
Light-emitting diode testing in solid state physics laboratory.

(图片仅供参考)

发光二极管是一种半导体PN结。当施加合适的正向电压时,n区的电子和p区的空穴被注入到耗尽区。当它们复合时,会释放能量。在直接带隙半导体中,这种能量会高效地以光子的形式释放出来,这一过程称为电致发光。

LED的基本原理在于半导体pn结的量子力学特性。半导体通过掺杂杂质形成两种类型的区域:n型区,自由电子过剩;p型区,电子(空穴)过剩。在这两个区域的交界处形成耗尽区,产生势垒,阻止零偏压下的电流流动。

施加正向电压后,势垒降低,使得n区电子和p区空穴能够注入到结区。在有源区,这些电子和空穴相遇并复合。每次复合都会使一个电子跃迁到较低的能级,释放能量。这种能量可以以热的形式耗散(非辐射复合),也可以以光子的形式释放(辐射复合)。高效LED的关键在于最大化辐射复合。这通常通过使用直接带隙半导体来实现,因为在直接带隙半导体中,电子和空穴的动量在复合过程中守恒,从而可以直接发射光子。

UNESCO Nomenclature: 2211
- 固体物理学

类型

物理设备

中断

基础

用法

广泛使用

前体

  • 半导体的发现
  • 威廉·肖克利发展了PN结理论
  • 固体和能带的量子理论
  • 点接触晶体管的发明
  • 1907年,HJ Round首次观测到碳化硅发光现象。

应用程序

  • 指示灯
  • 固态照明
  • 光纤通信
  • 遥控器
  • 七段显示器

专利:

  • US2569347A

潜在创新理念

由于机器人流量被拦截(目前每天超过 4 万),此内容仅限社区成员查看。
> 登录 > 或者 > 注册 < (100% 免费)即可访问此内容,以及所有其他受限内容和工具。

相关术语:pn结、电致发光、半导体、辐射复合、正向偏置、二极管、带隙、固态物理、电子-空穴对、掺杂。

历史背景

PN结电致发光

1926
1926
1927
1927
1930
1930
1930
1925
1926
1927
1927
1930
1930
1930
1931

(如果日期未知或不相关,例如“流体力学”,则提供其显著出现的近似估计)

只有注册会员才能免费获得 100% 的全尺寸图片和下载。.

> 登录 <