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Transistor a singolo elettrone (SET)

1986
  • Dmitri Averin
  • Konstantin Likharev
Dispositivo a transistor a singolo elettrone con punto quantico e giunzioni tunnel nella ricerca elettronica.

(Immagine generata a solo scopo illustrativo)

Un singolo elettrone Transistor (SET) è un dispositivo di commutazione che utilizza il tunneling elettronico controllato per manipolare il flusso di singoli elettroni. È costituito da un quantum dot (the ‘island’) coupled to source and drain leads via tunnel junctions, and capacitively coupled to a gate electrode. Its operation relies on the Coulomb blockade effect, enabling extreme sensitivity and low power consumption.

The Single-Electron Transistor (SET) operates based on a quantum mechanical effect called the Coulomb blockade. This effect occurs in a very small conductive island (a quantum dot) connected to source and drain electrodes through two tunnel junctions. For an electron to tunnel onto the island, it must overcome the electrostatic repulsion from the electrons already present. This requires a charging energy, [latex]E_C = e^2 / (2C)[/latex], where [latex]e[/latex] is the elementary charge and [latex]C[/latex] is the total capacitance of the island. For the Coulomb blockade to be observable, this charging energy must be significantly larger than the thermal energy, [latex]k_B T[/latex], which necessitates cryogenic temperatures and/or extremely small island capacitance (fF or aF).

Un elettrodo di gate è accoppiato capacitivamente all'isola. Applicando una tensione [latex]V_g[/latex] al gate, è possibile regolare con precisione il potenziale elettrostatico dell'isola. Questa tensione di gate può essere regolata per superare il blocco di Coulomb, consentendo a un singolo elettrone di attraversare per effetto tunnel la sorgente sull'isola e quindi dall'isola al drain. Questo processo può essere ripetuto un elettrone alla volta. La corrente che attraversa il SET presenta quindi picchi pronunciati (oscillazioni di Coulomb) in funzione della tensione di gate, con ogni picco corrispondente all'aggiunta di un elettrone all'isola. Ciò rende il SET un elettrometro estremamente sensibile, in grado di rilevare frazioni di una carica elementare.

Sebbene i SET offrano una sensibilità e un potenziale senza pari per la logica a bassissimo consumo, la loro applicazione pratica in circuiti di grandi dimensioni è ostacolata da diverse sfide. Il requisito di temperature molto basse rappresenta un ostacolo importante per l'elettronica di consumo. Inoltre, le loro prestazioni sono altamente sensibili alle cariche di fondo casuali nel substrato circostante, che possono modificare in modo imprevedibile le caratteristiche della tensione di gate. Anche la fabbricazione di grandi array di SET identici con un'elevata resa è estremamente difficile. Nonostante questi ostacoli, rimangono uno strumento vitale nella ricerca in fisica fondamentale e vengono attivamente esplorati per applicazioni di nicchia come l'elaborazione quantistica delle informazioni, in cui lo stato di carica di un punto quantico può rappresentare un qubit.

UNESCO Nomenclature: 2205
- Elettronica

Tipo

Dispositivo fisico

Interruzione

Sostanziale

Utilizzo

Nicchia/Specializzato

Precursori

  • scoperta dell'elettrone
  • concetto di tunneling quantistico
  • invenzione del transistor a effetto di campo (FET)
  • sviluppo dei punti quantici
  • teoria del blocco di Coulomb

Applicazioni

  • elettrometri ad alta sensibilità
  • rilevatori di fotoni singoli
  • ricerca nel calcolo quantistico (qubit)
  • esperimenti di fisica a bassa temperatura
  • standard metrologici per la corrente elettrica

Brevetti:

NA

Idee e potenziali innovazioni

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Correlato a: transistor a singolo elettrone, SET, blocco di Coulomb, punto quantico, giunzione a tunnel, calcolo quantistico, elettrometro, nanoelettronica.

Contesto storico

Transistor a singolo elettrone (SET)

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1984
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1991
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1994
1997

(se la data è sconosciuta o non rilevante, ad esempio "meccanica dei fluidi", viene fornita una stima approssimativa della sua notevole comparsa)

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