العلاقة بين الإطار الزمني المتوسط الأجل والفترة الزمنية المتوسطة الأجل والفترة الزمنية القصيرة الأجل

مخطط Pourbaix، المعروف أيضًا باسم مخطط الجهد/الأس الهيدروجيني، هو مخطط ديناميكي حراري يرسم أطوار التوازن المستقر لنظام كهروكيميائي مائي. وهو يوضح بيانياً ظروف الإمكانات ([latex]E_H[/latex]) والأس الهيدروجيني التي يكون فيها المعدن محصناً (مستقر ديناميكياً حرارياً)، أو مخملاً (يشكل طبقة واقية مستقرة)، أو عرضة للتآكل (يشكل أيونات قابلة للذوبان).

يُعد الترانزستور، وتحديدًا ترانزستور تأثير المجال المعدني شبه الموصل (MOSFET)، حجر الأساس في الإلكترونيات الرقمية الحديثة. يعمل هذا الترانزستور كمفتاح إلكتروني. بتطبيق جهد على طرف بوابته، يمكن تشغيل تدفق التيار بين طرفي المصدر والمصرف (يمثل 1) أو إيقافه (يمثل 0)، مما يتيح تطبيق بوابات منطقية.

تُقيّم قابلية التكرار الدقة في ظل ظروف متطابقة، بينما تُقيّم قابلية إعادة الإنتاج الدقة عند تغير شرط أو أكثر، مثل المُشغّل أو الجهاز أو الموقع. يكون تباين قابلية إعادة الإنتاج دائمًا أكبر من أو يساوي تباين قابلية التكرار. يُعدّ هذا التمييز بالغ الأهمية لفهم تباين القياسات، خاصةً في المقارنات بين المختبرات حيث تكون الظروف مختلفة جوهريًا.

تستخدم غرف التنظيف مبدأين أساسيين لتدفق الهواء للتحكم في التلوث. يتضمن التدفق المضطرب (أو غير أحادي الاتجاه) تيارات هواء مختلطة، وهو مناسب للفئات الأقل صرامة (ISO 6-9). أما التدفق الصفحي (أو أحادي الاتجاه) فيستخدم تيارات هواء متوازية ثابتة السرعة لاكتساح الجسيمات خارج البيئة، وهو ضروري للتطبيقات عالية النقاء مثل ISO 1-5، مما يمنع التلوث المتبادل ويضمن إزالة الجسيمات بسرعة.

حد شوكلي-كوايسر هو أقصى كفاءة نظرية لخلية شمسية أحادية الوصلة p-n. ويأخذ هذا الحد بعين الاعتبار فقط خسائر إعادة التركيب الإشعاعي وإشعاع الجسم الأسود. أما بالنسبة لخلية أحادية الوصلة ذات فجوة نطاق مثالية تبلغ 1.34 إلكترون فولت تحت إضاءة شمسية قياسية (AM1.5G)، فإن أقصى كفاءة تبلغ حوالي 33.7%. ويُسترشد بهذا الحد الأساسي في أبحاث وتصميم الخلايا الشمسية.

طُوّر نظام UNISURF على يد المهندس الفرنسي بيير بيزييه لشركة رينو في ستينيات القرن الماضي، وكان من أوائل أنظمة التصميم بمساعدة الحاسوب/التصنيع بمساعدة الحاسوب ثلاثية الأبعاد. وتمثّل ابتكاره الأساسي في استخدام ما يُعرف الآن بمنحنيات وأسطح بيزييه. وهي منحنيات بارامترية تُحدّدها مجموعة من نقاط التحكم، مما يسمح بإنشاء أشكال حرة معقدة لهياكل السيارات بطريقة بديهية ورياضية.

منحنى حوض الاستحمام هو نموذج بياني يوضح ثلاث مراحل من عمر المنتج من حيث معدل الفشل. يبدأ بمعدل "معدل "وفيات الرضع" المرتفع ولكن المتناقص، يليه معدل "عمر إنتاجي" منخفض وثابت، وينتهي بمعدل "تآكل" متزايد. وعادةً ما تكون حسابات متوسط العمر الافتراضي للمنتج باستخدام معدل فشل ثابت ([latex] \lambda[/latex]) صالحة فقط خلال مرحلة "العمر الإنتاجي" المركزية.

يمكن تمثيل الخلية الشمسية بدائرة كهربائية مكافئة. ويتضمن أبسط نموذج مصدر تيار يمثل التيار المولَّد ضوئيًا ([latex]I_L[/latex])، بالتوازي مع صمام ثنائي يمثل الوصلة p-n. ويضيف نموذج أكثر دقة مقاومة تحويلة متوازية ([latex]R_s_sh{sh}[/latex]) لتيارات التسرب ومقاومة متسلسلة ([latex]R_s[/latex]) لمقاومة التلامس والمواد السائبة.

رقم ديبورا هو كمية بلا أبعاد في علم الريولوجيا، ويستخدم لتوصيف سيولة المواد. وهو نسبة زمن الاسترخاء، وهو خاصية جوهرية للمادة، إلى المقياس الزمني المميز للتجربة أو الملاحظة. والمعادلة هي [latex]De = \frac{t_c}{t_p}[/latex]، حيث [latex]T_c[/latex] هو زمن الاسترخاء و[latex]_p[/latex] هو زمن الملاحظة.

متوسط الوقت بين الأعطال (MTBF) هو مقياس موثوقية يمثل الوقت المنقضي المتوقع بين الأعطال الملازمة لنظام قابل للإصلاح. بالنسبة للأنظمة ذات معدل الأعطال الثابت [latex] \lambda[/latex]، فإن متوسط الوقت بين الأعطال هو مقلوبه: [latex]MTBF = 1/\lambda[/latex]. تُعد هذه العلاقة البسيطة أساسية في هندسة الموثوقية للتنبؤ بوقت تشغيل النظام وتخطيط جداول الصيانة، بافتراض أن الأعطال تتبع توزيعًا أسيًا.

بالنسبة لنظام من المكونات المتسلسلة، حيث يتسبب أي عطل واحد في فشل النظام، فإن معدل الفشل الكلي هو مجموع المعدلات الفردية. إن الإطار الزمني المتوسط الأجل للنظام هو مقلوب هذا المجموع: [latex]MTBF_{system} = (\sum_{i=1==^{n} \lambda_i)^{-1} = (1/MTBF_1 + 1/MTBF_2+ ... + ... + 1/MTBF_n)^{-1}[/latex]. وهذا يعني أن الإطار الزمني المتوسط الأجل للنظام يكون دائمًا أقل من أدنى إطار زمني متوسط الأجل للمكون الفردي.

This method uses high-energy photons emitted from a radioisotope source, typically Cobalt-60, to sterilize products. The gamma rays pass through materials, creating free radicals and causing irreparable damage to microbial DNA, leading to cell death. It is a 'cold' process suitable for heat-sensitive items and can be performed on products already in their final sealed packaging.

تُعدّ تقنية CMOS (شبه موصل معدني أكسيدي مكمل) التقنية السائدة في بناء الدوائر المتكاملة. تستخدم هذه التقنية أزواجًا متكاملة من ترانزستورات MOSFET من النوعين p وn لبناء بوابات منطقية. ميزتها الرئيسية هي انخفاض استهلاك الطاقة الساكنة، حيث يكون أحد الترانزستورين في الزوج متوقفًا دائمًا أثناء حالة الاستقرار، مما يُنتج تدفقًا تيارًا ضئيلًا باستثناء انتقالات التبديل.

Top-down synthesis involves creating nanomaterials by starting with a larger, bulk material and breaking it down or patterning it to the nanoscale. Key techniques include mechanical methods like ball milling and lithographic methods like photolithography, electron-beam lithography, and nanoimprint lithography. These methods are often used for creating structured surfaces and integrated circuits, but can suffer from surface imperfections.