Placas com coordenadas GPS de aeroportos estranhos

A tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) é dominante na construção de circuitos integrados. Ela utiliza pares complementares de MOSFETs do tipo p e do tipo n para construir portas lógicas. Sua principal vantagem é o baixíssimo consumo de energia estática, já que um dos transistores do par permanece desligado em regime permanente, resultando em fluxo de corrente mínimo, exceto durante as transições de chaveamento.

A descoberta de que o vanadato de ítrio dopado com európio (YVO₄:Eu³⁺) poderia funcionar como um fósforo vermelho brilhante foi um avanço crucial para a televisão a cores. Antes disso, os fósforos vermelhos eram fracos, resultando em cores opacas. A intensa emissão vermelha de banda estreita do íon Eu³⁺ permitiu a criação de telas com cores vibrantes e brilhantes, melhorando drasticamente a qualidade da TV a cores e estabelecendo o padrão para a tecnologia de telas.

Desenvolvido pelo engenheiro francês Pierre Bézier para a Renault na década de 1960, o UNISURF foi um dos primeiros sistemas CAD/CAM 3D verdadeiros. Sua principal inovação foi o uso do que hoje conhecemos como curvas e superfícies de Bézier. Essas curvas paramétricas são definidas por um conjunto de pontos de controle, permitindo a criação intuitiva e matemática de formas complexas e livres para carrocerias.

Os sistemas de armazenamento de energia magnética supercondutora (SMES) armazenam energia no campo magnético criado pelo fluxo de corrente contínua em uma bobina supercondutora. A energia pode ser armazenada indefinidamente, desde que a bobina seja mantida em temperaturas supercondutoras, pois praticamente não há perda de energia devido à resistência elétrica. A energia armazenada é dada por (E = frac{1}{2} LI^2).

O índice de brancura de Ganz-Griesser é uma fórmula linear amplamente utilizada, particularmente na indústria têxtil. É derivado dos valores triestímulo CIE e definido como (W_{GG} = Y - Px - Qy + C), onde P, Q e C são constantes específicas para a fonte de luz e o observador. Para a condição D65/10°, a fórmula é (W_{GG} = Y - 1868,322x - 3695,690y + 1809,441).

As baterias de íon-lítio funcionam por meio de um mecanismo de intercalação, uma inserção reversível de íons em um material hospedeiro em camadas. Durante a descarga, os íons de lítio (Li⁺) se desintercalam de um eletrodo negativo (ânodo), tipicamente grafite, e se movem através de um eletrólito não aquoso para se intercalarem em um eletrodo positivo (cátodo), tipicamente um óxido metálico. Os elétrons viajam pelo circuito externo, criando corrente.

A comutação Q é uma técnica para produzir pulsos de laser de alta intensidade e curta duração. Ela funciona impedindo temporariamente a emissão de laser, permitindo que o meio ativo armazene uma grande quantidade de energia por meio da inversão de população. O fator de qualidade (fator Q) do laser é então rapidamente alterado para um valor alto, fazendo com que a energia armazenada seja liberada em um único pulso potente de nanossegundos.

Os iluminantes da série D da CIE são um conjunto de distribuições espectrais de potência (DSP) padrão que representam várias fases da luz natural do dia. O mais comum é o D65, que possui uma temperatura de cor correlacionada de aproximadamente 6504 K e representa a luz média do meio-dia. O D50 (5003 K) é outro padrão importante, frequentemente usado em artes gráficas. Esses padrões permitem uma reprodução de cores consistente.

O bloqueio de modos é uma técnica para produzir pulsos de laser extremamente curtos, da ordem de picossegundos (10⁻¹² s) a femtosegundos (10⁻¹⁵ s). Funciona forçando os diversos modos longitudinais da cavidade do laser a oscilarem com uma relação de fase fixa. Isso faz com que os modos interfiram construtivamente, criando um único pulso ultracurto e intenso que circula na cavidade.

A síntese de cima para baixo envolve a criação de nanomateriais a partir de um material em grande escala, que é então fragmentado ou padronizado em nanoescala. As principais técnicas incluem métodos mecânicos, como moagem de bolas, e métodos litográficos, como fotolitografia, litografia por feixe de elétrons e litografia por nanoimpressão. Esses métodos são frequentemente usados ​​para criar superfícies estruturadas e circuitos integrados, mas podem apresentar imperfeições superficiais.

O armazenamento de energia por volante (FES, na sigla em inglês) funciona acelerando um rotor (volante) a uma velocidade muito alta e mantendo a energia no sistema como energia cinética rotacional. A energia armazenada é proporcional ao quadrado da velocidade de rotação. Quando a energia é extraída, a rotação do volante diminui. A fórmula para a energia armazenada é (E = frac{1}{2} I omega^2), onde I é o momento de inércia e ω é a velocidade angular.

A eletrônica molecular explora o uso de moléculas individuais ou conjuntos moleculares em nanoescala como componentes eletrônicos fundamentais. Essa abordagem visa construir circuitos no limite máximo da miniaturização, muito além da tecnologia tradicional baseada em silício. Os principais componentes incluem fios moleculares, interruptores e retificadores, que aproveitam propriedades da mecânica quântica, como o tunelamento de elétrons através de orbitais moleculares, para seu funcionamento.

A Física da Falha (PoF, na sigla em inglês) é uma abordagem de engenharia de confiabilidade que utiliza o conhecimento da ciência dos materiais e da física para compreender e modelar os mecanismos causadores de falhas. Em vez de se basear puramente em dados estatísticos de falhas passadas, ela se concentra na previsão de falhas por meio da análise dos processos físicos (por exemplo, fadiga, corrosão, fluência) que levam à degradação e à ruptura.

O Efeito de Tamanho Quântico descreve o fenômeno em que as propriedades eletrônicas e ópticas de um material mudam à medida que seu tamanho se aproxima da nanoescala. Quando as dimensões de um material se tornam comparáveis ​​ao comprimento de onda de De Broglie do elétron, ocorre o confinamento quântico. Isso quantiza os níveis de energia do elétron, levando a uma lacuna de banda dependente do tamanho, (E_g(R) approx E_{g,bulk} + frac{hbar^2pi^2}{2R^2}(frac{1}{m_e^*} + frac{1}{m_h^*})).